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[参考译文] UCC21750：DESAT 的 CBLK 值

admin
Guru**** 2771175 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/850647/ucc21750-cblk-value-for-desat

器件型号：UCC21750

大家好、

我对 DESAT 解决方案有疑问。 根据 UCC2732的 EVM、CBLK 为27pF。  

如何计算？

我觉得电容器很小，即使是这么小的电容器，电涌也没有问题吗？  

谢谢、

Uchihara

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    TI__Guru**** 2771175 points
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    您好、Uchihara、

    EVM 上使用的小型 CBLK 面向基于碳化硅(SiC)的应用。 SiC MOSFET 以极快的速度开关、具有较小的短路耐受时间、可承受短路事件。 因此、这需要非常快速的 DESAT 检测和反应。 如果使用 IGBT、则由于开关速度较慢和短路耐受时间较长、消隐时间可能会更长。

    请在本 电子书中找到有关 DESAT 以及如何计算消隐时间的更多信息。

    如果 CBLK 的值太小而无法抑制给定系统中的噪声、则可以在通过另一个组件调整消隐时间的同时增加 CBLK。 例如、通过增加 RDESAT、添加一个与 HV 二极管串联的齐纳二极管、或添加更多串联的 HV 二极管。

    此致、

    Audrey

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    TI__Guru**** 2771175 points
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    你(们)好，Audrey

    您可以检查我的计算吗？ 如果我设置 Tblk=500ns、则 Cblk 应为10pF 阶数。 正确吗？ pF 阶电容器不是太小、对吧？

    谢谢、

    Uchihara

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    TI__Guru**** 2771175 points
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    您好、Uchihara、

    您的计算是正确的。 它可能更容易受到噪声的影响、因为它是一个小型 CBLANK。 您可以做的一件事是将 CBLANK 增加到100pF、然后在 OUTH 和 DESAT 引脚之间添加一个电阻器、以便在开启期间提供更多电流进行充电。 您可以在 OUTH 和 DESAT 之间使用一个30kOhm 电阻器和一个串联的二极管来阻止电流从 DESAT 引脚流回 OUTH。 在 OUTH 和 DESAT 之间使用100pF 的 DESAT 和 COM 以及30kOhm +二极管、您将获得大约600ns 的消隐时间。

    此致、

    Audrey