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[参考译文] LMG3410R050：并联 LMG3410器件

admin
Guru**** 2504005 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R050

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/783102/lmg3410r050-paralleling-lmg3410-devices

器件型号：LMG3410R050

您好！

是否可以并联 LMG3410以增加最大电流？

我们正在研究在三级三相电流逆变器中使用 LMG3410R050的可能性、但我们有两种选择

-纯 GaN 晶体管、因此我们可以进行高达240A 的版本(晶体管电流-> 6m Ω)

-使用 LMG3410R050、但如果没有并联操作、则每个晶体管的电阻限制为50m Ω

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    TI__Guru**** 2504005 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    您的问题的简短答案是肯定的。 您可以并联 LMG3410R050 FET。 但是、由于环路中需要更小的杂散电感、我们建议您布置两个半桥并向它们发送相同的 PWM 信号。 您可以通过1uH 等小型电感器连接的两个开关节点。 使用此电感器的原因是为了防止硬开关期间的不平衡电容损耗。 在导通瞬态期间、一个 FET 可能会略微提前导通。 但没关系。 GaN FET 应能够在短时间内处理此电流。 因此、我们不担心器件并联。

    谢谢、此致、
    连