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[参考译文] UCC21750：如何确定 DESAT 函数的电容器(CBLK)和电阻器(R)？

admin
Guru**** 2770595 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC21750

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/828842/ucc21750-how-to-decide-the-capacitor-cblk-and-resistor-r-for-the-desat-function

器件型号：UCC21750

您好！

该栅极驱动器用于驱动 SiC MOSFET FF23MR12W1M1P。

您能否建议如何为 去饱和功能选择电容器和电阻器？ 该电容器称为 CBLK、而 UCC21750数据表的图16 (第22页)中的电阻为 R。

下图中、TCAP 的最佳选择是什么？  

根据 SLUA863A、TCAP=VdesAT*Cblk/Ichg=9V*Cblk/0.5mA； 如果 Cblk=50pF、TCAP=900ns、那么从去饱和检测到故障的总时间为900ns+600ns=1.5us。 我不确定我的计算是否正确？ 我是否需要考虑其他事项？

那么如何确定 R？  

另一个问题是帮助理解第5页上的6.5个额定功率。

该发送器侧是否意味着低压侧(VCC 侧、引脚9-16)、而接收器侧是否意味着高压侧(VDD 侧、引脚1-8)？  

谢谢、

红梅

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    TI__Guru**** 2770595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hongmei、

    感谢您的提问！ 您正确的是、消隐时间是根据 t_BLK = V_DESAT * C_BLK/I_CHG 计算得出的。 您还可以考虑图16中连接到 SiC MOSFET 漏极的二极管、DHV 和电阻器 R。 根据正向压降 Vf 和 R、R*I_CHG 上的压降，DESAT 检测电压将降低，其中 V_DESAT、Actual = V_DESAT - Vf - R*I_CHG。 因此、t_BLK 将小于您计算出的值。  

    此外、检测到故障之前的总时间将为 t_BLK+t_DESATOFF、在您的示例中为900ns+200ns = 1.1us。 这是因为驱动器在 t_DESATOFF 之后采取措施以开始关断 SiC MOSFET、而 t_DESATFLT 是驱动器向 nFLT 引脚发送信号所需的时间。

    要回答第二个问题：是的、发送器侧是低压 VCC 侧、接收器侧是高压 VDD 侧、正如您提到的。

    此致、

    Audrey

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    TI__Guru**** 2770595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Audrey、

    非常感谢。 我仍然有点困惑。

    V_DSET： 引脚 DESAT 电压、图中对 COM 的引用、实际上是 CBLK 上的电压。

    VDS：器件漏源极电压、图中的 COM 参考。

    VR：电阻器上的电压  

    VF：二极管正向电压。

    当 V_DESAT < 9V 时、正常运行。  CBLK 应充电至任何值(VR+VF+VDS)。

    当 V_DESAT > 9V 时、检测到去饱和。 为了检测去饱和、CBLK 应该充电至9V。 因此、在此公式中： T_BLK = V_DESAT * C_BLK/I_CHG、V_DESAT 为9V。  为什么它是：V_DESAT、actual = V_DESAT - VF - R*I_CHG？

    谢谢、

    红梅

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    TI__Guru**** 2770595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hongmei、

    当 IGBT 导通并在正常条件下运行(无短路)时、VCE (或 VDS、如您所示)小于 V_DESAT、因此 V_DESAT 保持在 VDS。  

    当 IGBT 饱和时、VDS > V_DESAT。 现在 I_CHG 流经 C_BLK、电压为 V_DESAT = VR+VF+VDS。 从 IGBT 的角度来看、可触发短路保护的 VDS 值为 VDS = V_DESAT VR-VF。

    此致、

    Audrey