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[参考译文] TPS54540B:有关集成低侧 MOSFET 的问题

Guru**** 688030 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54540B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/848531/tps54540b-question-about-integrated-low-side-mosfet

器件型号:TPS54540B

您好!

我想知道 集成式低侧 MOSFET 的保护功能。

我发现 D/S 的描述如下、

"为了降低高输出电压下小型低侧 MOSFET 的损耗、该器件在24V 输出下禁用、并在输出达到21.5V 时重新启用"

但下面的情况如何呢?

VIN=5V,Vout=3.3V,无负载或极低负载, 输出线路上的电容过大

如果我们在输出预偏置条件下并  在输出线路上具有过多电容的情况下开启 TPS54540B、

 集成式低侧 MOSFET 是否可能会灌 入非常高的电流?

或者是否有任何保护功能可防止灌入过多电流?

此致、

开始

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    您好,

     由于它是 Eco-mode 器件、 因此不提供灌电流保护。  

    Gavin

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    您好、Gavin

    感谢您的评论。

    让我更详细地解释一下我所关心的情况。

    TPS54540B 的集成低侧 MOSFET 仅在启动 UVLO 被置为有效时工作。

    如果在 VIN=5V 并且 Vout 被预偏置为3V 的条件下、我认为启动 UVLO 将在启动期间被置为有效、对吧?

    我担心 预偏置 Vout 的能量产生的过多电流可能会流经 集成式低侧 MOSFET。

    此致、

    开始

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    你好、

     但该器件对此没有灌电流保护。  如果 您担心电感、我想您可以增大电感。  

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    您好、Gavin

    感谢您的评论。 我明白了。

    我们可能不需要太担心 灌电流保护。  

    集成低侧 MOSFET 的导通时间将非常短、因为它用于 SW 节点放电、而不是用于对输出上剩余的功率放电。

    开始

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    你好、

     是的、您的观点是正确的。

    Gavin