This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC20520:UCC20520

Guru**** 2527620 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21520, ISO5852S, UCC21530, ISO5452

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/827902/ucc20520-ucc20520

器件型号:UCC20520
主题中讨论的其他器件:UCC21520ISO5852SUCC21530ISO5452

你好

我想尝试一些新的 TI 技术。 在我的新开发中、为了实现这一目的、我需要一些有关 SiC 和 GaN FET 技术的信息。

我有一个器件、它可以使高压1000V 脉冲在正负方向上均为正、最大频率为100kHz。 我只需要几个 mA 电流、最大5-10mA 就足够了。  如上所述、我使用该芯片、并按照数据表第9.2节中的图34使用该芯片。 驱动典型的半桥。 我所需要的是快速、干净且无抖动的开关、以提高器件的效率和分辨率。 您能否为我推荐具有相应隔离式驱动器的 SiC 和/或 GaN FET、以满足上述要求? 目前、我将此芯片与功率 MOSFET IXTP02N120P 配合使用、但 同时尝试使用新的 FET 技术。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    感谢您关注 UCC21520。 此应用在高电压但低电流类别中听起来有点独特。 我指的是 SiC 器件方面的专家、因为我认为1kV 要求可能会导致 SiC 成为一个很好的候选器件。

    UCC21520将是一个很好的驱动器选择、但 SiC 专家可能会推荐非常适合的驱动器。

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Zsolt、

    感谢您的发帖! 您可以在以下 网站中查看一些 SiC 功率 MOSFET 、它们在其中提供了一些低电流、高电压 SiC MOSFET。 例如、器件 C2M1000170D 的额定电压为1700V、5A。 栅极电荷很低、因此您不需要太多的驱动强度。 对于驱动器、TI 的 ISO5852S 或 ISO5452是一个不错的选择、因为它具有分离输出、非常适合驱动 SiC MOSFET 和集成短路保护。 正如我的同事提到过的、如果您需要用于半桥的双通道驱动器、那么 UCC21520或 UCC21530也是不错的选择、但它们没有 ISO5x5x 系列具有的集成保护功能。

    如有其他问题、请告知我们!

    此致、

    Audrey