主题中讨论的其他器件:UCC21520、 ISO5852S、 UCC21530、 ISO5452
你好
我想尝试一些新的 TI 技术。 在我的新开发中、为了实现这一目的、我需要一些有关 SiC 和 GaN FET 技术的信息。
我有一个器件、它可以使高压1000V 脉冲在正负方向上均为正、最大频率为100kHz。 我只需要几个 mA 电流、最大5-10mA 就足够了。 如上所述、我使用该芯片、并按照数据表第9.2节中的图34使用该芯片。 驱动典型的半桥。 我所需要的是快速、干净且无抖动的开关、以提高器件的效率和分辨率。 您能否为我推荐具有相应隔离式驱动器的 SiC 和/或 GaN FET、以满足上述要求? 目前、我将此芯片与功率 MOSFET IXTP02N120P 配合使用、但 同时尝试使用新的 FET 技术。