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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/827332/tps51216-how-do-we-calculate-the-dead-time-with-tps51216-and-discrete-mosfet
尊敬的先生：
如何 使用 TPS51216和 分立式 MOSFET 计算死区时间？
我们必须确保它不会对直流/直流转换器带来短期风险。
谢谢。
尊敬的 Damon：
DRVH 关断和 DRVL 导通之间的死区时间通常为10ns 、DRVL 关断和 DRVH 导通之间的死区时间通常为20ns。
此信息可在数据表第5页规格表中找到。
谢谢
钱
但死区时间也与 H/L 侧 MOS 的参数相关。
因此、我们必须 使用 MOSFET 进行计算。
它可以 防止异常现象。
我在数据表中找不到更多信息。
我认为该器件可以检测一个 FET 关断、然后在导通其他 FET 之前在规格中添加死区时间。
这样、死区时间与 FET 参数无关。
