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[参考译文] CSD19532Q5B、表面温度过高

admin
Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP11186, CSD19532Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/779303/csd19532q5b-excessive-surface-temperature

主题中讨论的其他器件：PMP11186、 CSD19532Q5B

我在 TI 官方网站上找到了 LM25037QMT 的参考设计。标题为 PMP11186原理图。 有关汽车250W 推挽转换器参考设计的设计。
此参考设计中有四个名为 CSD19532Q5B 的 MOSFET、我发现该参考设计不遵循散热器、我想知道我是否需要在其上安装散热器。  
因为我发现在30W 时、表面温度为100摄氏度。我不知道这是正常情况、我想知道当参考电路在250W 下工作时 MOSFET 表面的温度。
如果这不是正常现象、我想知道为什么温度过高
THS！

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    TI__Guru**** 657930 points
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    大家好、如果我正确理解您的问题、初级侧的四个 MOSFET 在30W 输出下达到100摄氏度。 这不是正常现象。 推挽式拓扑对变压器结构敏感、尤其是泄漏。 如果泄漏过高、您将在初级 MOSFET 上看到过多的电压尖峰、可能导致它们达到雪崩击穿并因此升温。 您能否使用 Tip & Barrel 方法测量初级 FET 的漏源电压？ training.ti.com/engineer-it-how-test-power-supplies-measuring-noise

    PMP11186的设计人员一周内外出。 同时、我将尝试为您提供支持。

    Ryan
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    TI__Guru**** 657930 points
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    首先、我发现驱动输出电压会被下拉、在高电平上大约为5V、所以我用 VCC 引脚连接了 VIN、温度问题有了一些改善、只是稍微改善了一点。

    • 下面是  初级 FET 漏源电压的波形

    e2e.ti.com/.../pl300.pdf

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    TI__Guru**** 657930 points
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    经过一天的研究，我发现了几个问题。

    首先、除了 D8、D9、我将 R13、R14的值更改为27欧姆。

    这将改善波形的过冲。如下图所示：

    • 但温度没有改善

    其次、我之前没有在输出上添加电感、只添加电容器、我添加了一个22uH 电感器和一个1000uF 电容器

    这将改善波形的过冲。如下图所示：

    • 温度问题有所改善、但经过一段时间后、仍然是100度

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    TI__Guru**** 657930 points
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    好的、很高兴您发现了这些问题。 推挽式拓扑中需要输出电感器。 它是能量存储元件、因为变压器不存储能量(或泄漏极少)。 与初级 FET 栅极串联的27 Ω 电阻器可能是可以的。 我将从1欧姆开始、然后向上工作(5欧姆、10欧姆等)、以获得所需的振铃曲线。 但是、电阻越高、开关速度越慢、损耗越高。

    Ryan

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    TI__Guru**** 657930 points
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    • 高温是由 RC 吸收环路引起的、不是 MOSFET。

      • 如何解决这一问题

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    TI__Guru**** 657930 points
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    缓冲器损耗是电容的函数。 请查看 TI 电源管理库、并查看 Philip C.Todd 在19193 Unitrode 电源研讨会 SEM-900上提供的有关缓冲器设计的论文。 www.ti.com/.../slup100

    谢谢、
    Ryan
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    TI__Guru**** 657930 points
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    好的、谢谢！