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[参考译文] UCC24624:SR1 Vgs 波形在每个周期都在变化

Guru**** 2526700 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24624

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/780558/ucc24624-sr1-vgs-waveform-is-changing-every-cycle

器件型号:UCC24624

您好、Bing - San、

SR1 Vgs 波形在每个周期都在变化。

SR2 Vgs 波形良好、因为在 VSS 与 SR2 MOSFET 源极之间添加了100欧姆电阻。

我的客户问我如何稳定 SR1 Vgs 波形?

或者、您能解释一下它仍然保持最佳效率的细节吗?

波形、

e2e.ti.com/.../SR1-Vgs-waveform.pdf

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    大家好、Doi-San、

    您的听力很好。 您是否有我们可以查看的布局文件副本? 您能否提供 SR1 VDS 波形的放大图? 我们想知道 MOSFET 导通时 VDS 波形的形状。 您将需要使用小电压标度来查看形状。

    此致、
    本·洛夫
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    我今天必须得到答案。

    否则、我们将丢失。

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    大家好、Doi-San、
    这是 IC 运行的预期结果。
    UCC24624使用比例栅极驱动器运行。 它降低栅极电压以增加 SR 导通电压。 这最终有助于改善 SR 的导通时间并减少 SR 损耗。
    比例栅极驱动器的控制来自其 VDS 电压。 当其电压高于-35mV 时、比例栅极驱动器将启动并开始降低栅极电压。
    在波形中、两个周期恰好位于比例栅极驱动阈值的边缘。 因此、在一个周期、它达到阈值、而在另一个周期、它未达到阈值。 由于 LLC 在谐振频率以上运行、次级侧的高 di/dt 会立即导致 SR 关闭。 因此、在比例栅极驱动器无法启动的一个周期中、SR 会立即关闭、而不会看到栅极驱动电压降低。
    这是正常操作、在该操作模式下是预期的。
    如果增大或减小负载、您应该会看到此行为消失。
    如果您有任何疑问、请告诉我。
    谢谢。
    必应
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    必应-圣、

    我的客户想知道、在每个周期改变波形的控制是否不会降低效率。
    您能解释一下控制不会降低效率吗?
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    杜伊-圣

     如果操作只是成比例栅极驱动器踢进或不踢进、则不应影响效率、因为 SR 控制器对功率级做出正确响应。

     不过、我更详细地查看了您的波形、当比例栅极驱动器未启用时、SR 会提前关闭。

     如果您查看更多详细信息、您可以看到 SR 在比例栅极驱动器可能踢进的位置被关闭。

     在我看来、SR 早就关闭了、因此会影响 SR 导通损耗的效率。

     我不知道 SR 决定提早关闭的确切原因。 有多种可能。

    糟糕的布局。 SR 控制器启用比例栅极驱动后、会有一些电流将栅极电压拉低。 如果该电流在电压感测上引起一些噪声、则可能会导致 SR 提前关断。 您能否帮助显示此 IC 周围的布局? 还是使用子卡?

    2. SR 上的 di/dt 会导致足够的偏移电压并导致 SR 提前关断。 我对此不太有信心、因为它发生在电流的平坦部分、其中 di/dt 非常小。 为了避免这种情况、您只需在 VSS 引脚和 PGND 之间添加一个电阻器、即可稍微增大关断阈值。 我建议从30欧姆开始。

    或者、您也可以单独对其进行评估、因为对效率的影响相当小。 它在每两个开关周期上具有600ns 的体二极管导通时间。 假设开关频率约为130kHz。 这会使导通损耗增加~0.1%。

    请告诉我您的想法。

    谢谢。

    必应

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    必应-圣、

    它们在原始 ST micro SR 板上交换 SR IC。

    主要是导线连接方法。

    但您不能说这就是原因。

    日本创客在登上飞机前必须获得完美的成绩。

    它们在 VSS 和 SR2源之间使用100欧姆电阻。

    他们对 SR2波形得到改善感到非常满意。

    如果您请求更改电阻器值、请告诉我如何通过查看什么来确定该值?

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    大家好、Doi-San、
    由于它们已使用 VSS 电阻器、因此没有理由在该处添加更多电阻器。
    当他们添加电阻器时、您能否让他们在 VSS 引脚和 PGND 之间放置100欧姆电阻器、然后使用粗线将 PGND 连接到两个 SR MOSFET 的中间。 有关详细信息、请参阅数据表布局示例。
    它们应该能够使两个通道 SR 的行为大致相同。
    请告诉我您发现的内容。
    谢谢。
    必应
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    必应-圣、

    我知道。 但您知道两个 MOSFET 源极的距离始终很长。

    120欧姆还是150欧姆不是一个好解决方案?

    切勿使用超过100欧姆的值?

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    很抱歉、我按下了错误的按钮。
    是的、您可以使用120或150欧姆。 我提到100欧姆的唯一原因是、在您的消息中、您说它们使用的是100欧姆电阻器。
    当您进行布局时、请尝试将电阻器置于两个 FET 的中间、以便这两个 FET 的布局相对对称。 我希望两个 MOSFET 之间连接了一块大铜、以便最大限度地减小电感和电阻。
    请告诉我您发现了什么。
    谢谢。
    必应