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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/826026/ucc28742-vs-maximum-ratings
数据表上的 VS 引脚绝对最大额定值在-0.75V 至7V 范围内列出。 该额定值是否在所有运行期间有效、或者仅在 每个开关周期结束时有效、而不考虑每个开关周期开始时出现的开始尖峰。
根据4.65V 过压阈值(V OVP)、似乎几乎没有电感尖峰的空间。
Armela、您好！
感谢您关注 UCC28742反激式控制器。
7V 绝对最大额定值是基于此输入上的内部 ESD 钳位结构的连续限值。 如果 VS 上的瞬态电压(例如反射的泄漏尖峰) 超过7V 峰值、它们可能会重复触发 ESD 钳位来保护此输入。 由于7V 是4.65V 的150%、因此在 大多数设计中反射峰值振幅通常远低于该限值。 这是因为 初级绕组上的泄漏电感电压尖峰不会因泄漏而显著耦合到辅助绕组。 在初级侧、电压可能会高得多、但在辅助装置上看不到电压。
如果 VAUX 绕组上出现异常高的尖峰这一独特的特殊情况、则 VS 输入需要在外部进行钳位、以便不会向引脚添加显著的电容。 由于 VS 输入端通常连接高电阻、VS 上的电容过大将延迟波形的过零检测并降低谷底开关功能。 这会 导致高压线路上的开关损耗更高。
幸运 的是、UCC28742可通过来自次级侧并联稳压器的光耦合误差信号执行输出调节。 对于 UCC287xx 系列的其他初级侧调节(PSR)成员、 即使 VS 上的电容值为几 pF、 也可以在 tDMAG 时间结束时使波形的反射"拐点"舍入到位。 检测到该点的下降斜率用于 PSR、 该拐点的舍入将严重降低这些控制器的调节性能。 这不会影响 UCC28742、但出于完整性考虑、我提到了它。
此致、 Ulrich
您好 Ulrich、
感谢您的反馈。 我对你的回答有一些补充意见。
我确实会在 VAUX 绕组上看到异常高的尖峰、这会导致 Vs 超过其7V 限值。 与钳位 Vs 不同、是否可以使用齐纳式解决方案来钳位 Vaux？
数据表第11页第7.3.1.3节要求齐纳类型器件钳制变压器辅助绕组负电压、以实现 VIN (max)/VIN (run)<4.8。
在辅助绕组上使用齐纳二极管类型的器件是否是可行的解决方案、以减少这些尖峰？ 是否有任何我不想的影响？ 示例温度、齐纳二极管的额定值、对设计的其他影响等？
您是否碰巧有一个示例参考设计要共享、或建议的齐纳器件类型？
谢谢、
阿尔梅拉
您好 Armela、
本参考设计原理图 http://www.ti.com/lit/df/slurax2/slurax2.pdf 展示了您从第7.3.1.3节引用的负齐纳钳位方法 、该原理图是针对使用 UCC28720 PSR BJT 控制器的项目完成的、但其概念是相同的。 但这是一个负钳位、因为输入电压 可能非常高、并且辅助绕组上的反射电压会在 FET 导通期间从 VS 消耗过多电流。
在您的情况下、我相信过大的正电压可以以类似的方式进行钳位、使齐纳极性相反。 在 PMP8678设计中、上部 VS 分压电阻器(Rvs1)被分成2个相等的值。 对于您的情况、我建议将您的 Rvs1拆分为不相等的值。
从 AUX 绕组中、用一个低值电阻器(可能是0.1 x Rvs1)替换现有的 Rvs1、后跟一个高值电阻器(可能是0.9 x Rvs1)。 在 Rvs1a 和 Rvs1b 的结处，连接额定电压可能为正常 NAS*Vout 反射电平的120%至130%的齐纳二极管的阴极。 这样、齐纳二极管仅钳制高于反射电平的电压、包括高尖峰、但不应干扰正常电平。 可以调整 Rvs1a 和 Rvs1b 的值以获得最佳结果、尤其是当可用的齐纳电压不适合您的情况时。 可以更轻松地调节电阻器。 确保将二极管与齐纳二极管串联、以防止 MOSFET 导通期间发生任何正向导通。
我建议使用非对称值、以便最大限度地减小齐纳电容对 VS 信号的影响。
如果您可以为您的应用找到正确的齐纳值、则可以直接将齐纳二极管和二极管放置在辅助绕组上。 这对 VS 感测的影响最小。 确保钳位尖峰时的峰值电流对于齐纳二极管不会过大。
我希望这能解决您的问题。
我在第二次回复(上面)中修正了几个拼写错误、因此如果您无法从我的回复通知中获取原理图文件、请立即使用更正后的 URL 重新检查此帖子。
谢谢、 Ulrich
