[参考译文] UCC27710：在瞬态响应期间损坏 IC 的降压转换器

Soufiane、您好！

感谢您关注 UCC27710。 我将帮助解决您在应用中看到的问题。 在满负载瞬态期间、可能会出现较大的占空比变化并增加不同周期的电流。 对于同步降压转换器、死区时间内始终存在低侧开关体二极管导通问题、而高侧导通至该体二极管导通反向恢复时间。 这将导致开关节点上的高 di/dt 和高 dV/dt 上升。 高侧开关上极高的 dV/dt 可能导致米勒电荷强制栅极驱动器输出低电平、同时具有较大的负尖峰。

您能评论一下您使用的 MOSFET 器件型号以及从驱动器到 MOSFET 的栅极电阻吗？ 如果不查看示波器图、就不可能说这正是您的问题、但这是同步降压拓扑的常见问题。

您可以尝试几种方法。 增加高侧驱动器上的导通电阻、这将降低开关节点导通尖峰。 与一个串联二极管的关断电阻可保持在现有值上。

请确认这是否有用、或者、如需更多建议、您能否在负载瞬态条件(不会导致问题)下提供 HO、HS 和 LO 输出的示波器图。

此致、

Richard Herring

Soufiane、您好！

感谢您提供 FET 器件型号信息、尽管 VCC 在启动期间仍在上升、但您看不到故障。

通过查看高侧的 MOSFET、我看到 Qg 为34nC、Vgs 为10V、即3.4nF 等效电容。 在16欧姆导通时、时间常数将为~54ns、达到~10V。 我看到低侧 MOSFET 体二极管 TRR 为80ns。

在不查看示波器波形的情况下、我的一个建议是查看增大导通电阻是否有助于解决该问题。 在上电情况下、可用的栅极驱动源电流可能会更低、具体取决于开关启动时驱动器上的 VDD。

作为实验、您能否尝试更高的导通电阻、至少对于高侧 MOSFET 是如此？ 尝试22欧姆、33欧姆等以查看是否有任何改进。

如果建议的更改无法解决问题、我可能仍需要查看请求的范围图。

请确认这是否有助于解决问题、或者您始终可以在主题中提出更多问题。

此致、

Richard Herring