[参考译文] LM5109B：应用

您好、CAN、

感谢您关注 LM5109B。 有许多情况可能会导致栅极驱动器过载、从而导致器件损坏。

我首先确认 IC 引脚上的电压处于器件额定值范围内、例如 VDD 至 VSS 为8至14V、HB 至 HS 小于14V、HB 至 VSS < 90V。 确认功率 MOSFET 的时序正确、以便 LO 输出和 HO 输出之间以及高侧 Vgs 和低侧 Vgs 之间存在死区时间。

您能否在没有电压施加到功率 FET 半桥或施加较低电压来确认控制、驱动器和半桥开关节点波形的情况下运行控制和栅极驱动器？

很多时候、电压过载是由高 dV/dt 开关引起的、这可能会导致 MOSFET 开关节点上出现高电压尖峰。 这可能会使驱动器 HS 引脚过载。 尝试增大栅极驱动电阻、并确认高侧和低侧 MOSFET Vgs 上仍有足够的死区时间。

如果您可以发送应用的示波器波形以及驱动器和 MOSFET 功率级的原理图、我可以提供更好的建议。

捕捉 LO、HM-HS 和 HS 到接地的示波器图。 此外、LI、HI、LO 和 HO-HS 也会有所帮助。

确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

您好、CAN、

感谢您提供原理图。 我看到 BSC160N10NS3是19nC 的相对低栅极电荷、有效电容为1.9nF。 100nF 的启动电容 足以为 MOSFET Qg 充电。 但是、由于电机驱动器频率较低、请参阅 LM5109B 数据表中的第8.2.2.1节、以根据工作频率确认启动电容。

此外、由于 MOSFET Qg 对于许多电机驱动应用而言相当低、您可能希望在初始测试中将栅极电阻增加到20-30欧姆、因为10欧姆和19nC 的时间常数仅为19ns。

确认这是否解决了您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

您好、CAN、

为了保护 IC 免受开关节点上可能的瞬变的影响、有一种常见的方法来限制驱动器 IC 开关节点上可能的负电压尖峰。

在从 MOSFET 开关节点(HS 源极和 LS 漏极)到驱动器 HS 引脚的连接中添加一个电阻。 我建议该电阻的初始值为5欧姆。 此外、在驱动器 IC HS 引脚和 VSS (接地引脚)之间添加一个肖特基二极管。 将二极管靠近 IC 引脚放置、以便最有效地限制 HS 负电压。

如果您的输入为36V、由于 IC 的额定电压为90V、因此您应该具有正 HS 电压尖峰的裕度。

由于您在操作过程中遇到问题、我建议将栅极电阻增大到30欧姆范围作为初始值。 由于这是低频运行、因此可以进行初始测试。 确认运行后、如果您需要更快的开关速度、则可以查看栅极电阻、同时确保传动系统开关电压在电压尖峰方面是可接受的。

确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、