我们尝试使用 大于20ms (默认值)的值来修改 PGOOD 延迟时间。 我们 使用适当的密码对 DEFPG 寄存器的 PGDLY[1:0]域进行正确写入(从寄存器读取会提供正确的新值)。
但是、当我们执行下电上电时、即使我们设置了100、200或400ms、LDO4电源上升和 PGOOD 上升之间的延迟始终测量约为25ms。 新设置似乎未存储在 EEPROM 上、并在下电上电时重置为默认设置:但这会非常奇怪、会使这些位无效。
感谢您的支持
Antonio
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我们尝试使用 大于20ms (默认值)的值来修改 PGOOD 延迟时间。 我们 使用适当的密码对 DEFPG 寄存器的 PGDLY[1:0]域进行正确写入(从寄存器读取会提供正确的新值)。
但是、当我们执行下电上电时、即使我们设置了100、200或400ms、LDO4电源上升和 PGOOD 上升之间的延迟始终测量约为25ms。 新设置似乎未存储在 EEPROM 上、并在下电上电时重置为默认设置:但这会非常奇怪、会使这些位无效。
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Antonio
安东尼奥
您完全正确。 在下电上电后、所有易失性"影子"寄存器都会复位。 它们不会自动写入 EEPROM。
您需要使用 TPS652170器件、该器件旨在由用户重新编程。 BOOSTXL-TPS652170是一款插槽式 EVM、用于对器件进行重新编程。
您可以对 TPS65217A/B/C/D 的 EEPROM 进行重新编程、但不能使用此器件进行量产(否则会导致保修失效)。 以下是有关对 EEPROM 支持的寄存器进行重新编程的 TPS652170数据表的摘录:
将8V 电压施加到 PWR_EN 引脚并将1b 电压写入寄存器0x2C 的位4会将当前寄存器设置提交到 EEPROM 存储器、从而使其成为新的加电默认值。 对 EEPROMbacked 寄存器设置所做的任何更改都将永久生效、直到寄存器0x2C 的位4保持为0b、这可以通过 I2C 或 TPS652170器件上电来手动完成。 如果在终端设备的生产过程中在线执行编程、则在为整个系统供电之前、PWR_EN 必须返回到满足绝对最大额定值的电压。 当在 TPS652170器件的 PWR_EN 引脚上施加8V 进行编程时、不会损坏引脚;然而、PWR_EN 信号可能与其他 IC 的引脚相连、并且任何非 TPS652170 IC 的绝对最大额定值都不应被违反。