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[参考译文] TPS40170:预偏置条件下的 SCP 检测时序

Guru**** 2769575 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/846438/tps40170-scp-detection-timing-at-pre-bias-condition

器件型号:TPS40170

我认为、当预偏置电平较高且 VBOOT 电平较低时、高侧 FET 无法导通。

在这种情况下、何时检测到 SCP?

在 VBOOT 电压电平上升足够后 FET 实际导通的时间是不是?

或者、虽然 FET 实际上并未导通、但它是内部导通时序吗?

此致、
Kohei Sasaki

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    您好、Kohei、

       当发生预偏置时、  高侧 FET 实际上在 VBOOT 电压电平上升足够后打开。  但在此期间、低侧 FET 可以导通。

    Gavin

     

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    加文-圣

    感谢你的答复。
    我了解到、在 VBOOT 电压电平上升到足够高后、高侧 FET 实际上会导通。

    我想知道 SCP 检测时序。

    如果由于 VBOOT 电平为低电平而导致高侧 FET 无法导通、则是否在内部产生高侧导通信号时检测到 SCP?
    当高侧 FET 无法导通时、我认为 Vin 和 SW 之间的电压差足以进行 SCP 检测。  

    或者、在 VBOOT 电平上升足够且高侧 FET 实际导通后是否检测到 SCP?

    此致、
    Kohei Sasaki

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    您好、Kohei、

     VBOOT 电平上升足够且高侧 FET 实际导通后、会检测到 SCP。

    Gavin