请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:BQ77905 您好:
我正在考虑将 BQ77905用于3芯串联电池组保护项目。 当保护装置打开与主机的电源连接时、电池组需要保持 SMBus 通信。 是否可以在没有太多复杂性和相同可靠性的情况下实现高侧保护(与低侧相比)? 是否有示例?
谢谢-
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
尊敬的 Thomas:
我们看到了 CHG FET 为高侧、DSG FET 为低侧的配置。 有关更多信息、请参阅此帖子:
https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/p/653851/2401749?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=bq77905%20high#2401749
我不知道任何两个 FET 都是高侧的示例。