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器件型号：LM5109B 您好！
我使用此栅极驱动器来控制半桥包含两个 N-MOSFET、我的 MOSFET 由36V 供电、因此我的 HO 应至少为46V、以便完全将 MOSFET 打开状态、此外、我的 LO 应为12V。 我不理解输入信号和输出信号之间的关系。 我想知道如何控制输出电压以获得所需的电压。
感谢您关注 LM5109B。 LM5109B 可用于驱动具有36V 输入电压的半桥中的高侧和低侧 MOSFET。
请参阅下面的应用图、我将介绍驱动器的工作方法、尤其是浮动高侧驱动器。
首先要了解的操作是 LM5109B 驱动器的 HS 引脚上的高侧 MOSFET 和称为"负载"的节点将切换为高电平、以接近 VIN 电压、 当开关靠近接地端时、LM5109B 的 HS 引脚上的低侧 MOSFET 开启。 对于大多数半桥动力总成拓扑、您只需要打开高侧 MOSFET 或打开低侧 MOSFET、而不需要同时打开两者。
LO 输出是以 VSS 为基准的低侧驱动器通道、通常在电路中接地。 LI 输入阈值为~1.8V 上升、 因此即使控制器为3.3V 控制信号、来自控制器的输入信号也将满足输入阈值。 当驱动输入被触发为高电平时、LO 输出将切换至接近 VDD。 HO 输出是浮动输出驱动器、因为 HO 输出以 HS 引脚为基准、该引脚是功率 MOSFET 的开关节点。 HB 引脚是 HO 输出驱动器的偏置电压、也以 HS 引脚为基准。
HB 偏置通常由从 VDD 连接到 HB 的自举二极管和从 HB 连接到 HS 的电容器生成。 当 HS 开关接近接地时、HB 偏置电容器充电、并且自举二极管提供来自 VDD 的充电电流。 HB 电压将为~ VDD-VF (自举二极管的)。
当 HI 输入变为高电平时、有一个内部电平转换器将 VSS 参考 HI 输入连接到 HS 参考驱动器输出。 当 HO 变为高电平时、高侧 MOSFET 将导通、HS 引脚将切换至接近 VIN 电压的位置。 自举二极管反向偏置、而 HB 至 HS 偏置电压为自举二极管的~VDD- VF。 这样、驱动器可以驱动 HO 振幅高于 VIN 输入电压的高侧 MOSFET。
有关半桥配置的自举电路选择、请参阅 TI 应用手册。http://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf
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此致、
