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[参考译文] CSD17308Q3:栅极和源极之间的电阻器

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17308Q3

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/823037/csd17308q3-the-resistor-between-gate-and-source

器件型号:CSD17308Q3

尊敬的:

如图所示、我在电路中将 CSD17308Q3 FET 用于高侧开关、该电路模拟 TI 的驱动器 IC 评估板、其中 R1 = 5k Ω、R2 = 10兆欧。

 此应用为锂离子电池过放电保护。

一个多月以来、我注意到栅极驱动器输出为三态时、有可疑的泄漏电流流经 FET。
您能否保证栅极和漏极之间的电阻器 R2 10MOhm 足以保持 FET 关断状态?

谢谢、

Joshua Kim

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    约书亚、您好!

    感谢您提出问题。 我认为10M Ω 过高。 我们规范了栅极泄漏电流、在25°C 时 IGSS < 100nA。 100nA x 10MOhm = 1V 时。 该器件的最小阈值电压规格为0.9V。 我建议将电阻值减小到1MOhm 和5MOhm 之间。

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    尊敬的 John Wallace:

    非常感谢这个宝贵的答案!

    再次感谢、

    Joshua Kim