This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD17308Q3:体二极管特性

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17308Q3

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/822684/csd17308q3-body-diode-characteristics

器件型号:CSD17308Q3

您好!  

CSD17308Q3中的体二极管肖特基吗?

我在数据表中很难找到答案。

谢谢、

Joshua Kim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    约书亚、

    感谢您考虑我们的 MOSFET。

    CSD17308Q3没有肖特基二极管、这是所有 MOSFET 都具有的标准体漏极二极管。

    如果 MOSFET 确实具有肖特基二极管、则需要进行额外处理、制造商通常会在数据表首页重点介绍这一点、因为这不是标准。 TI 不提供具有集成肖特基二极管的 MOSFET、

    快速检查部件是否集成了肖特基二极管的另一种方法是查看器件的 VSD。 如果大约为0.5V、则可能是肖特基二极管、如果大约为0.8V 至1V、则为标准 MOSFET 结二极管。 此外、具有肖特基二极管的 FET 具有更高的 IDS 泄漏、与标准 FET 1uA 相比、它们通常具有0.5mA 最大泄漏规格、因此泄漏电流要大500倍。

    但愿这对您有所帮助

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chris Bull:

    感谢您的回答、这完全澄清了我的问题。

    再次感谢、

    Joshua Kim