Other Parts Discussed in Thread: UCC21750
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器件型号：UCC21750 您好！
在数据表中、关于欠压锁定的主题8.3.3说明了：
IGBT 的典型 VDD 值为15V、SiC MOSFET 的典型 VDD 值为18V 或20V。 UCC21750实现了 VDD UVLO 的12V 阈值电压、具有800mV 迟滞；VEE UVLO 的-3V 阈值电压、具有400mV 迟滞。 该阈值电压适用于 SiC MOSFET 和 IGBT。
在负侧 VEE 上没有其他 UVLO 保护信息、在表中没有、在简介中没有。 UCC21750是否具有负 UVLO 保护？ 还是这是勘误表？
非常感谢！
