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[参考译文] CSD19538Q2:对紫外线曝光的影响

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19538Q2
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/822170/csd19538q2-effect-on-uv-light-exposure

器件型号:CSD19538Q2

John Wallace、您好!

我想跟进有关紫外线效应的问题。 我看到了您的回复声明、您认为在咨询封装专家之后、紫外线不会影响器件。 您能否解释一下您为何在技术方面如此相信? 我们使用的竞争对手器件是塑料封装。

我们看到数百台装置中有2%的装置通过了 UV 输送机流程、锁扣电路(MOSFET)出现了问题。 我们用于保形涂层固化的 UV 光是强度为200mW/cm2的 UVA。 此 UVA 工艺随附 UVA 光和热。 我们通过测量泄漏电流与温度间的关系来确定温度室的竞争对手 MOSFET 特征、以确认热量会导致泄漏电流增加并在特定温度下触发 MOSFET 导通。 在本温度室测试中、它是在100摄氏度以上的温度下进行的。

我们还在 UVA 工艺中测量了 MOSFET 泄漏电流和温度、但发现一些经过测试的电路板的封装顶部最高温度达到70摄氏度、泄漏电流与温度室测试数据在70摄氏度时非常相似。 所有经过测试的电路板锁存电路都未导通、因为通过 UV 工艺测得的封装顶部温度为70摄氏度、这不会触发 MOSFET 导通。

由于通过 UV 工艺测得的数据无法得出结论、热量是 UVA 工艺开启 MOSFET 的主要因素、UVA 光是否会对塑料封装 MOSFET 产生影响?

我们在电路板上尝试了此 MPN 的几个样片:CSD19538Q2、但也没有看到 MOSFET 通过正常的 UVA 过程触发。 仅当在较长的 UVA 暴露时间内出现过载情况时才会触发、这不是生产中的正常 UVA 流程。

谢谢、

SF

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    您好、SF、

    如前所述、我们尚未对此进行测试、也没有数据。 我们建议您测试更大的 TI 器件样品尺寸、以确认紫外光对 FET 没有负面影响。 我将向您发送朋友请求、我们可以在 e2e 论坛之外进行此讨论。