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[参考译文] BQ2000：BQ2000#39；s 设计问题

admin
Guru**** 2531980 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2000

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/854802/bq2000-bq2000-s-design-question

器件型号：BQ2000

您好的团队，

我的客户正在使用 BQ2000作为 其应用的解决方案，他们正在参考 EVM 来构建其设计的原理图   

其用例为：5V 输入电压，为额定电流为1~2A 的3节镍氢电池充电，

根据上述客户用例、需要调整 EVM 设计的哪些部分以适应其应用？

以下问题对 EVM 的设计进行了如下调整：

 D6和 Q4的用途是什么？D6用于为 U1 VCC 提供稳定电压？ 客户设计中是否可以忽略不计？

2. 靠近高侧 MOS Q1 (红圈)的电路(Q2、D5、R12)的用途是什么？

请帮助提供答案，非常感谢！

Andy

  • 0
    TI__Guru**** 2531980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andy：

    对于5V 输入电源、D6、R10、Q4构成一个线性稳压器、用于将输入电压降至 VCC。

    Q2、R12、C9和 D5构成快速 PFET 关断的加速电路。  建议使用它或类似的器件 以实现更高的效率。  

    D7是一个电压钳位、用于防止 PFET 栅极上的 OVP 在高输入电压下关断、还有助于快速关断。  

    我们尚未在 EVM 以外的配置中测试此器件。  因此、如果您从 EVM 原理图中进行更改、我无法保证操作。

    此致、

    Jeff

  • 0
    TI__Guru**** 2531980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jeff：

    感谢您的回复、从您的回复中、

    我假设 D6、R10、Q4可以移除、因为如果直流输入来自 USB 5V、则无需降压 VCC。

    (根据客户的应用)

    2.我们应保持 Q2、R12、C9和 D5、D7以 实现快速 PFET 关断、从而提高效率和 OVP 保护。  

    3.客户将根据其设计要求构建原理图，我们可以查看原理图并让他们在自己的一侧进行测试以 进行验证。

    如果我对 上述假设有误、请纠正我的问题、非常感谢！

    Andy

  • 0
    TI__Guru**** 2531980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Andy、

    关于1、同意。

    关于2、由于输入电压仅为5V、因此不需要 D7齐纳二极管。  我建议使用和不使用 Q2、R12和 C9进行测试。

    关于3、同意。

    此致、

    Jeff

  • 0
    TI__Guru**** 2531980 points
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    尊敬的 Jeff：

    明白了，感谢您的建议，我会将这些信息转发给我的客户。

    Andy