[参考译文] LMG5200：效率与电流

您好、Gregg、

随着 Vin 的增加、效率降低是正常现象。 原因是寄生电容充电损耗、随着电压升高而增加。 这被视为开关损耗的一部分、大致等于 Qoss * Vin * Fsw。 这是偏移开关功率损耗。 开关损耗的第二部分是开关节点转换期间的电流电压重叠、这也涉及损耗机制中的负载电流。 在0.5A 时、这可以忽略不计。

LMG5200具有15m Ω FET、由于集成了驱动器、因此您可以获得可靠性和易用性优势。 但是、15W 的输出功率可能太低、无法使用该器件。 您在效率方面看到的结果可能是正确的。 如果您仍然希望获得 LMG5200的集成优势、但希望获得更高的效率、则需要软开关拓扑。 例如、如果您具有1W 的失调电压充电损耗、则在15W 下的损耗为6.7%、但在100W 下的损耗仅为1%。  

我希望上述讨论有所帮助。

此致、

Serkan  

您好、Gregg、

如果是软开关拓扑、LMG5200也是不错的选择、可让您轻松进行布局。 在高温环境下、LMG5200的 Rdson 将接近23m Ω。 即使您在执行 D 类操作、如果您仅驱动电阻负载、我想您将进行硬开关。 您能否确保始终进行软开关？ 因为损耗随 Vin 增大而增大、可能只会在硬开关条件下发生。 其次、请检查死区时间、以确保死区时间不会过长或过短。 如果您想使用分立式 FET、我建议使用由 LMG1210驱动的15至40m Ω GaN FET。 如果您想使用此工具、我将在 LMG1210下打开另一个可供专家帮助的线程。 但是、正如我说过的、LMG5200对于2MHz 软开关应用来说不会是一个糟糕的选择。

此致、

Serkan

Serkan、

感谢您提供所有信息。  我查看了 LMG1210、如果我决定采用分立式 GaN FET 方法、这对我来说是非常好的选择。  再次感谢提供的信息和及时的答复。

Gregg