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[参考译文] LM5111:LM5111

Guru**** 2382220 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5111, UCC27525
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/819365/lm5111-lm5111

器件型号:LM5111
主题中讨论的其他器件: UCC27525

你(们)好

我正在设计同步 CUK 转换器、我想用 P 沟道 MOSFET 替换整流二极管、因此我将使用 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET。 我想使用 LM5111栅极驱动器 IC 来驱动开关、但根据数据表、该 IC 旨在独立驱动两个 N 沟道 MOSFET。 我的问题是、是否可以在我的应用中使用此栅极驱动器 IC (LM5111)? 该栅极驱动器 IC 是否有任何方法来驱动 P 沟道 MOSFET? 如果是、我应该考虑哪些因素? 此外,使用此栅极驱动器 IC (LM5111),是否有任何方法可以从外部对死区时间进行编程? 因为该 IC 没有可编程死区时间功能。 下面随附的文件是我正在使用的 MOSFET 的数据表和功率级原理图。

e2e.ti.com/.../6232.sqj570ep_2D00_1019476.pdfe2e.ti.com/.../cuk-topology-1.pdf

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    Daniel、您好!

    欢迎来到 e2e、感谢您关注我们的司机、我叫来自高功率驱动器团队的 Mamadou Diallo。

    您似乎正在寻找能够同时驱动 P 沟道和 N 沟道 FET 的双通道驱动器。 如果我错了、请纠正我的错误!  

    根据您的特定驱动程序要求、我可能会对可能满足您应用需求的不同驱动程序感兴趣。

    我建议您考虑我们的低侧驱动器产品系列中的 UCC2752x 系列、尤其是具有反相和同相通道以及20V (LM5111的工作电源电压范围为15V)更高的 UCC27525。 我在原理图中注意到、您的工作条件是器件的绝对最大额定值、因此我建议使用低电源电压或选择具有更宽驱动电压能力的驱动器、以便为您自己提供足够的电源瞬态空间。  

    使用 UCC27525、您可以使用反相通道驱动 P 沟道 FET、而使用同相通道驱动 N 沟道。  

    此外、关于使用我们的驱动器时的注意事项、我随附了我的应用手册、其中讨论了布局指南、以帮助确保我们的双通道驱动器具有最佳性能。  

    除此之外、您目前还使用1欧姆的串联导通栅极电阻 R1和 R5、具体取决于您的开关速度、您可能需要调整该值以控制 FET 栅极的上升时间。 下面的链接讨论了如何实现这一点。

    http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/slla385/slla385.pdf

    根据您的 MCU、您可以在控制器上实现死区时间、以确保 FET 导通/关断之间有足够的裕度、因为驱动器将不具有可编程的死区时间功能。  

    如果您有其他问题、请告知我们。

    此致、

    -Mamadou

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    您好、Mamadou、

    非常感谢您的推荐。 这对我们有很大帮助。