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[FAQ] [参考译文] [常见问题解答]如何计算 TPS23755和 TPS23758 IC 功率耗散

admin
Guru**** 2439560 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23755

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/820034/faq-how-to-calculate-tps23755-and-tps23758-ic-power-dissipation

器件型号：TPS23755

大家好、

如何计算积分 MOSFET PD 功率耗散？

谢谢。

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    TI__Guru**** 2439560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Munin、您好！

    测试 IC 功率耗散的最佳方法是查看热性能。 请参阅随附的 TPS23755EVM 在13W 和37V 输入条件下的热感图像、以延长时间。 请注意、最热的组件是二极管电桥、热温度仍然合理。

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    TI__Guru**** 2439560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、达尔文、

    您是否有 TPS23755功率耗散公式？

    谢谢。

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    TI__Guru**** 2439560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Munin、您好！

    IC 耗散的功率将是导通 FET 的功率(IRTN*IRTN*RDSon)和驱动开关 FET 栅极的功率(VCC*ICC)以及开关 FET 的传导损耗(RDSonFET*IRMS*IRMS)。