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[参考译文] LM5175：高侧驱动器行为

admin
Guru**** 2595590 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5175

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/820024/lm5175-high-side-driver-behaviour

器件型号：LM5175

您好！

LM5175没有电荷泵、只有自举来为高侧 MOSFET 供电。

数据表中的图12、在降压模式下、SW2始终为高电平： 如果 SW2不变为低电平为自举电容器充电、如何为高侧 MOSFET 栅极(HDRV2)供电？(数据表在8.3.13中说明：在降压运行中、LDRV1和 HDRV1由 PWM 控制器切换、同时 HDRV2保持持续导通)

在升压模式下也是如此。

谢谢、

Clement

  • 0
    TI__Guru**** 2595590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Clement、

    感谢您考虑使用 LM5175。  您似乎尚未测试 EVM。  这些问题是通过设计来处理的。  实际上、内部有一个专有电路来保持要对非开关桥臂的引导进行充电。  不用担心、非开关桥臂的高侧 FET 在运行期间将保持100%的旁路占空比。  

    谢谢、

    应用工程学 Yohao Xi