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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/819818/lm5122-the-application-question
您好、支持团队、
MOSFET 栅源极规则的放电电阻器建议。 在用于滚轮 N-FET 的 LM5122同步升压拓扑中、需要添加 R8/R11？ 在用于开关 P-FET 的 LM3409非同步降压拓扑中、需要添加 R17？ 是否有任何副作用或任何好处？ 谢谢！
您好！
不必对5122电路使用 R11。 5122具有一个集成栅极驱动器、可根据需要对 FET 放电。
R8的放置不正确、也不必要。 您需要将电阻器从 Q1的栅极连接到源极。 电流配置将使电流流经体二极管、器件不会导通。
添加电阻器的好处是 FET 的栅极将处于稳定状态、而不会悬空。 此外、您还有另一条接地路径、可以使 FET 放电时电流流过。
其缺点是、由于您具有额外的电阻元件、因此您通过传导损耗降低了效率。
您将看到、对于 LM3409电路、也不完全需要使用 R17。 理由与上述相同。
如果您想查看是否存在任何性能差异、我建议将器件的封装放置在 PCB 上、但如果您不想使用上拉和下拉电阻器(R8、R11、R17)并根据需要填充、则将其保持断开状态。
谢谢、
Richard
