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器件型号：CSD19535KCS 根据数据表、RDS (on) max=3.6mOHM、测试条件如 Id=100Amp。
如果我在 RDS (on) max=3.6mOHM 的情况下允许从 MOSFET 连续流 Id = 100Amp、则必须耗散 PD=36W (PD=ID^2 * RDS (on))。
现在、如果我计算上述条件下不带散热器的 Tj (结温)。
TJ=(PD * Rtheta (ja))+ Ta、
=(36W * 62deg C/W)+ 25deg C、
=2257deg C、
因此、如果没有散热器、我甚至无法从 MOSFET 中耗散 PD=36W 的功率、因为 Tj 将超出规格。
我想知道 TI 如何在安全限制内管理 Tj？
测试此产品时遵循哪些不同的技术？
