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[参考译文] CSD18543Q3A:栅极上升时间非常慢时可能会损坏

Guru**** 2382340 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/818567/csd18543q3a-possibility-of-damage-when-gate-rise-time-is-very-slow

器件型号:CSD18543Q3A

尊敬的专家:

我的客户正在考虑使用 CSD18543Q3A、并有疑问。

如果您能提供建议、我将不胜感激。

--

我想确认、当 CSD18543Q3A 栅极的上升时间时、FET 是否损坏。

 CMOS 栅极的上升时间通常在 数据表中的200ns 至400ns 范围内。

但在我们的应用中、由于针对噪声的测量、它将大约为500ns。

 使用 CSD18543Q3A 500ns 栅极上升时间时是否存在任何问题?  

我无法确定确定 OK 或 NG、因为 它未列在数据表中。

--

感谢您提前提供的出色帮助。

此致、

新一

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    新一山

    感谢您提出问题并关注我们的 MOSFET。

    只要 MOSFET 的运行处于器件 SOA 范围内(数据表中的图10)、栅极的上升和/或下降时间就无关紧要。

    开关的数据表参数只是针对一组特定条件、这些参数不是固定的、不适用于应用。 我们在这里写了一篇有关开关参数的博客、以展示这些参数如何受到设置等的影响 请单击此处查看链接:

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    尊敬的 Chris:

    感谢你的答复。

    我知道、只要  在 SOA 区域中、栅极上升/下降时间就无关紧要。

    我将与客户分享这些信息。

     感谢您 的大力帮助与合作。

    此致、

    新一