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[参考译文] BQ76200EVM-606:BQ76200的原理图检查

Guru**** 657980 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76200
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1173028/bq76200evm-606-schematics-check-for-bq76200

器件型号:BQ76200EVM-606
主题中讨论的其他器件:BQ76200

你好!
您能否验证控制电池组(7节串联锂离子电池)充电和放电的 BQ76200原理图。  

放电电流为600A。 控制信号通过5V GPIO 从 MCU 驱动。

谢谢

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    您好、Faiz、

    我们建议您使用大量缺失的组件。 我建议您查看以下应用手册和 EVM 用户指南:

    DSG/CHG FET 的共点栅极引脚的电阻至少应为几百欧姆、 此外、您应该为每个 FET 添加一个10M Ω 栅极-源极电阻器、并可能添加一个齐纳二极管来钳制栅极-源极电压、以便在发生高瞬态时保护 FET。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    感谢您的反馈。 我更新了原理图。 您能不能立即了解一下。  

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    您好、Faiz、

    D6应翻转、看起来与 D7类似。

    D5的用途是什么? 连接后、没有关闭 DSG FET 的良好路径。 它只能通过10M Ω 栅极-源极电阻器关断 、这会非常慢。 不需要该二极管。

    我建议您查看我们的一些参考设计、然后再次仔细查看并遵循我与您共享的文档中显示的建议、尤其是 简单应用原理图之外的 bq76200、因为您使用的电流非常高、因此您应该非常仔细地设计您的器件。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    我遵循了您在这里提到的相同指南。 对于电阻器的值(1M 欧姆)、我在您提到的文档中使用了表3、其中还给出了电路。

    该电路中的 D1与我的电路中的 D5相同。 我还想、对于 D6、阴极连接到基准电路中的 DSGQ 引脚。 在本例中、我还将阴极连接到 Dicharge"控制引脚。  

    我对 D6感到困惑、它应该看起来与 D7类似。 在 D6和 D7中、二极管的引脚3连接到 MOSFET 的栅极。  请查看下面的参考图片并指导我。 我认为我们只需要进行一些调整。  

    表3中也对这些二极管的尸体进行了少量解释。  

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    您好、Faiz、

    我现在知道它是什么。 由于放置原因、我有点困惑。 D5应置于 PACK 滤波之前和 DSG 引脚电阻之前、如您共享的图所示。 置于 PACK 电容器/电阻器和 RDSG 之前。

    很抱歉、您对 D7回答正确、我误解了它的放置方式。 正确放置。

     我想指出的几个新问题:

    • 您可能需要更大的 VDDCP 电容器、因为您总共使用6个 FET。 如需参考   、您可以查看 bq76200高侧 N 通道 FET 驱动器应用手册的 FET 配置的第6节 VDDCP 电容基准表。
    • 建议为每个 FET 添加一个单独的栅极电阻器或铁氧体磁珠。 这是为了缓解在高电流关断期间可能发生的振荡。
    • 所选 FET 的数据表显示其最大持续漏极电流为100A 如果三个 FET 并联、则流经 FET 的电流最多为300A。 如果电流是脉冲电流、这可能是正常的。 确保 FET 能够处理应用的电流

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    感谢你的帮助。 我已经更新了设计、并从您共享的参考中增加了 VDDCP。 我增加了 MOSFET 的数量、还有4个用于 VDDCP 的 MOSFET 示例、这对我有所帮助。  

    我将共享更新的原理图。 如果最后确定这一点,它也可以帮助其他国家的人民进行高电流设计。  

    谢谢你

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    您好、Faiz、

    如前所述、D5应放置在 DSG 引脚电阻器之前、因此应放置在 R44之前。

    我认为其他一切看起来都不错。 尽管各个栅极电阻器(220欧姆)可能会更小。 这取决于您需要的开启/关闭速度。 电阻越高、FET 的关断时间就越短。

    祝你好运!  

    此致、

    Luis Hernandez Salomon