[参考译文] LMG3522R030：如果我将 GaN 用作负载开关、它是否起作用？

admin

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器件型号：LMG3522R030

大家好、

氮化镓能否替代背对背 MOSFET？如果是、需要一个或两个？

由于 TI 的氮化镓集成了驱动和保护功能、它能否替代下图中的整体电路？

如果我使用 GaN 作为负载开关、电流限制是否会在开关开启时限制浪涌电流？谢谢。

此致、

Charlie

0 admin 1 年多前

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您好！

我相信您的应用与之前的 E2E 帖子类似、请单击此处的链接、并告知我它是否有用。

总之、我们建议我们的器件在理论上可以用于这些应用、但必须在器件的绝对最大额定值和连续最大额定值范围内运行。考虑到 GaN 和硅的成本、在这种情况下、您可能可以通过 Si FET 获得并节省系统成本。不会利用 GaN 的许多优势、这会降低对 GaN 的需求。

此致、

扎赫

电源管理（参考译文帖）(Read Only)