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[参考译文] TLV803E:TLV803E 的电容器选择

Guru**** 2391415 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1176606/tlv803e-capacitor-selection-for-tlv803e

器件型号:TLV803E
TLV803E 系列数据表第页的 16. 
您提到过;
"μF 的 μF 做法是在 VDD 输入端放置一个0.1 μ F 至1 μ F 的旁路电容器、用于嘈杂的应用、并确保为器件提供足够的电荷以正确加电。"

我们的硬件在3.3V 下运行、深度睡眠电流为2uA。

我们的问题是、
1) 1)在哪些情况下、我们可以在 VDD 引脚上使用0.1uF 电容器?
2) 2)在哪些情况下、我们可以在 VDD 引脚上使用1uF 电容器?
3) 3)当使用0.1uF 或1uF 电容器时、会对器件的性能产生什么影响?

谢谢你
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Dipak  

    旁路电容器的选择取决于您在输入端期望的噪声频率。 如果您期望非常高的频率噪声,请使用0.1uF,因为它将快速响应并满足电流浪涌的需求。 如果您期望低频噪声,请使用1uF 电容器,它将很慢,但它可以对浪涌作出响应。  

    此致

    Trailokya  

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    非常感谢您提供此信息。