[参考译文] LM5026：有源钳位正向转换器的次级侧电压过冲和振铃

您好 Martin、

您是否有可供查看的原理图？ 在数据表中、我们建议在次级侧而非 FET 上使用二极管进行整流。 当 FET 开关时、振铃可能来自 LC 寄生效应。  

此致、

王永平

你好 Jonathan、

是的、当 MOSFET 接管阻断电压并由于 MOSFET 体二极管的反向恢复、电压过冲和以下振铃应该来自变压器的杂散电感和 MOSFET 的输出电容。 在平均输出电流为17.4 A 的情况下、我们认为二极管无法实现可接受的效率？ 我附加了原理图。 如前所述、次级侧 MOSFET 为  SQM10250E_GE3 (250V)。  

e2e.ti.com/.../ACF_5F00_28V_5F00_23V_5F00_400W.pdf

您好 Martin、

我注意 到、您的原理图中没有 P 沟道 MOSFET、因为您仅在初级侧使用 IPB039N10N3G (N 沟道 MOSFET)。 我还看到您的钳位电容器不应位于变压器和您的 MOSFET 之一之间。 我也不清楚 PADD1-6连接到了什么。 变压器的次级侧仅连接到 CS、与初级侧(GNDCS)具有相同的接地、因此不能实现隔离目的。

我需要进一步向我的团队询问次级侧 MOSFET 的建议、但我们正在度假、因此请预计我们的响应会延迟。

此致、

王永平

尊敬的 Jonathan：

是的、没错 。 我们使用 N 沟道 MOSFET (而不是 P 沟道)、将电压钳制到输入电压(IN+)。 在原理图中、S2和 S3是主开关、S1是钳位开关。 它们由半桥驱动器驱动。 钳位电容器为 C18和 C19。 C20和 C21未焊接在 PCB 上。 根据我们对样本的测量结果、初级侧工作正常。  

是的、很抱歉、我应该解释一下：

PADDT 1和 PADT2：变压器主绕组初级侧

PADT3和 PADT4：变压器主绕组次级侧

PADT5和 PADT6：变压器辅助绕组初级侧

连接到 CS 的变压器(Stromwandler)是电流感应变压器。  

谢谢、致以诚挚的问候

Martin

您好、Jonathan、

我稍微更改了原理图、使其更清晰一点。 请注意、主变压器是一个没有 辅助绕组的 PulseElectronics PH9278NL。 到目前为止、VCC 是具有外部电源的电源。

此致

Martine2e.ti.com/.../ACF_5F00_28V_5F00_23V_5F00_400W_5F00_2.pdf

你好 Jonathan、

感谢您的回答和推荐。 总之：您建议(对于次级侧整流)使用自驱动的 MOSFET (而不是 UCC24624或类似 IC)？ 我希望您对缓冲电路有一些提示、因为目前我的 RCD 缓冲器 I 还不够(电压过冲仍然很高、由于 RCD 缓冲器、MOSFET 每周期会多次导通和关断、因此不会阻尼振铃、损耗太大)。 RC 缓冲器也是不可能的、因为它中的损耗会过高。 根据仿真、大多数过冲来自 MOSFET 体二极管的反向恢复。 您是否看到有任何方法可以减少这种情况？

谢谢、致以诚挚的问候

Martin Schmölz ć