[参考译文] CSD16301Q2：如何在 LED 上定义更高的偏置电压

您好 Mohtaba、

感谢您关注 TI FET。 我将回顾应用和 TINA-TI 仿真、并在下周初我回到办公室时再次与您联系。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

您好 Mohtaba、

再次感谢您关注 TI FET。 您的应用是在饱和区域中运行 FET、其中 Vds > Vgs - Vth 和 ID ~(Vgs - Vth)²。 我运行了您的直流偏置条件仿真。 使用现有的偏置网络和电源、VAK = 2.19V、Vgs = 1.59V、Vds = 1.89V、ID = 12.13mA。 增加 VAK = 2.5V 将需要更改偏置网络。 增大 R2 = 250Ω Ω 的值会导致 VAK = 2.49V、Vgs = 1.71V、Vds = 1.54V、ID = 67.98mA。 我不知道如何在不增加功率耗散的情况下更改偏置。 我认为工作点由 LED 的 V-I 特性决定。 我上拉了仿真中使用的 LZ1-00R702的数据表、随着 VAK 的增加、正向电流也会增加。 请注意、我们不会在您的应用条件下描述我们的器件的特征。 具体而言、我们不知道它如何在直流偏置之上施加30MHz 信号。 通常、CSD16301Q2针对开关频率高达约1MHz 的开关模式电源应用进行了优化。 请告诉我是否可以提供进一步的帮助。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

您好、Mojtaba、

跟进以查看这是否解决了您的问题。 如果我有任何进一步的帮助、请告诉我。

此致、

John

尊敬的 John：

感谢你的答复。

是的、你是对的。 运行点由 LED 的 I-V 特性定义。

我想将 LED 两端的直流电压(Vanode - V阴极)设置为2.5或2.6V、这意味着电流应设置为大约250mA。 然后、输入信号通过该偏置电压、如调制。 有时我还需要增加 LED 上的电压/电流以增加发射功率。

你怎么看？ 是否可以为此 目的设置值、或者我必须更改 器件型号？

谢谢你

您好、Mojtaba、

您应该能够对电路进行偏置、但包括阈值电压在内的 FET 参数会出现正常的过程变化、这会导致偏置条件的变化。 如果您希望进行更精确的控制、则可能需要考虑使用闭环系统来调节 LED 的 VAK。 TI 的所有 NFET 器件在开环配置中都具有相似的性能。

此致、

John