[参考译文] TPS5130：下冲和电流限制

Darren (FAE) 

您能否提供有关开关波形上下冲的含义的更多详细信息？

高侧电流限制仅在高侧导通时间内有效、并包括初始消隐周期、以便在启用电流限制检测之前为开关节点提供振铃时间以进行耗散。

低侧电流限制通过延长开关周期来发挥作用、因此 它实际上具有等于标称关断时间的消隐时间。  超过这些时间时、开关节点上的振铃/噪声可能会导致电流限制功能的错误触发。  如果您需要限制开关节点振铃、您可以考虑：

1) 1)添加一个与自举电容器串联的电阻器、以降低高侧和低侧 FET 之间开关节点上的上升压摆率。  该值应小于5Ω Ω

2) 2)添加一个与高侧和/或低侧 FET 栅极串联的电阻器、以减缓导通和关断。   该值应保持在2.2Ω μ V 或更低。

3) 3)在开关节点和 TPS5LL 引脚之间添加一个电阻器、以减缓高侧 FET 的关断。  该值应保持在2.2Ω μ V 或更低。

电阻器应位于 TPS5130的 LLx 引脚和 MOSFET 的高侧源极/低侧漏极结之间的电路中。  连接到 LHx 引脚的电容器(自举电容器)应连接到电阻器的 MOSFET 侧、以避免在 MOSFET 导通期间电流通过电阻器。

4) 4)在开关节点与接地之间添加缓冲器(串联 R-C)。

你好 Darren

器件的 DUO 太旧、 我们无法联系设计来获取高侧 FET 的消隐时间。 任何其他需求、请告诉我。