你好
我们使用 UCC37324驱动低侧的一组并联 N 沟道 MOSFET。 该 IC 在 VDD 上由12V 电压供电。 INA 和 INB 上的逻辑高电平为3.3V。
输出端子(OUTA 和 OUTB)与 阵列中的第一个 N-MOSFET 之间的距离约为45mm。 这是否会影响 IC 运行?
我们面临的问题:
当 INA 和 INB 被赋予逻辑高电平信号时、OUTA 和 OUTB 显示12V。
2. INA 和 INB 上的电压在1.5V 至0V 之间波动。
MCU 操作正在暂停。
当 IC 脱离电路板时、MCU 运行正常。 如上所述、距离是否会导致这些问题?
非常感谢您的帮助。
谢谢、此致