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[参考译文] TPS23754:MOSFET VDS 峰值过压

Guru**** 667810 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1176686/tps23754-mosfet-vds-peak-overvoltage

器件型号:TPS23754

降级器、

  如果您帮助查看该结果、Q1 VDS 峰值电压为180V、则异常。

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    尊敬的先生/女士:

    首要侧 FET 关闭电压应为 Vin + N_pri/N_sec * Vout。  对于 JA4387-AL、n_pri/n_sec + V_overshoot 为4、如果 Vin 约为50V、除 V_overshoot 外的总关断电压应为~98V、这接近于您的波形。  

    对于杂散电感中存储的能量引起的 V_Overshoot、可以通过调整缓冲 电路或增加 关断时间来减小该值。  您可以尝试短接 D12、不要焊接 Q2以使割道 速度变慢。

    此致、

    Diang

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    尊敬的 Diang:

      我们 短接 D12、不焊接 Q2、但仍然无法工作。  

     是否有任何其他方法可以调整缓冲 电路或增加 关断时间?

      

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    尊敬的先生/女士:

    感谢您的更新!

    该电压过冲的根本原因通常是杂散/泄漏/其他电感和器件的输出电容(Coss)振荡。

    进一步将栅极电阻器增加到30欧姆。

    2.降低 R9电阻,您可能需要提高其额定功率。

    3.尝试将 L4短接,因为 C22和 C14处的电压振铃可能与 MOSFET 的输出电容耦合。

    2023年1月17日更新:  我们收到您的答复的时间相对较长。 我现在要关闭这个线程。 如果您有其他问题、请打开新主题。

    此致、
    Diang