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器件型号：TPS43000 主题中讨论的其他器件： CSDPleasehelp me。 我需要使用 SEPIC 经典配置 L1和 L2、主要是因为我无法使用耦合电感器、并且我需要绝缘(我不知道 Zeta 转换器)。 电流值为 Vin = 6至8、4V Vout、3、6 @ 3、3A。Fsw 1MHz。 L1 = L2 = 3、3 μ H。 COUT = 3 x 47uF 陶瓷电容。 Cly = 2、2 μ F 陶瓷 R1 = 37500、R2=R3=4870 C1=10 nF C2=270 pF C3=680 pF 我开发了电路、但由于电路板中的其他限制、做布局的人做得不好。 在任何情况下、系统有两个主要问题、我会询问有人是否可以帮助我找到根本原因。 首先，它不是从设计电压(6V)开始，而是从较低的电压(2.5至3.5 V) 开始第二个电压， 当我将 N-MOSFET 从 IRF5304更改为 CSD 17302时、系统会继续以低于设计的电压启动、但在施加负载时无法达到稳态条件、也很轻。 有什么建议吗？ 一些注释。 我按照 TPS43000数据表和 TI 的其他字面量设计了补偿环路：如何计算交叉频率？ 它应通过公式 fc=(R2 x C3/(2 x PI x LP x Co) x (Vin/(Vramp x (1-D)^2)得出、该公式适用于升压、反激式和 SEPIC 拓扑。 但我不知道斜坡电压的值、而是从误差放大器最小和最大输出2V 中猜到的值。 正确吗？ 我尝试应用反向公式并在多个 TI 字面量中计算交叉、零和极点频率、但在所有这些中、找到的值都不适合前提条件：即 SLUA268和 SLUA267的第2.4段。 是否有一些未写入的内容会更改公式中的值？ 我知道它很复杂，我不需要解决办法，而是找到解决办法的方法..... :) 感谢每位将尽力提供帮助的人
