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[参考译文] TPS22918-Q1:设计问题

Guru**** 668880 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22918-Q1, TPS22965-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/603634/tps22918-q1-questions-for-designing

器件型号:TPS22918-Q1
主题中讨论的其他器件: TPS22965-Q1

您好!

我们收到了客户关于 TPS22918-Q1的一些问题。
请帮帮我们。

[问题]
他们正在考虑在以下条件下进行设计。

 VIN=3.3V
 Iout=1.842A
 COUT=22uF+220uF
 QOD=直接连接到 Vout (不使用外部电阻器)

- 在这种情况下、QOD 外部电阻器的建议范围是多少? 由于输出电容器超过200uF、因此它们需要外部电阻器。
 因此、他们希望知道如何估算。

-最大连续开关电流额定值与什么相关? 如果它仅与结温相关、那么低热阻电路板上的输出电流是否能够超过 Imax?
 其电路板的热阻为50C/W 在其电路板上、Ta=95C 时输出电流是否可以流动1.8A?

-哪一种方法更短,即 QOD 或 TOFF 的延迟时间? 如果 QOD 将激活、直到 FET 仍然导通、则放电电流从 VIN 流出。 这种现象是否有可能发生? 当它们由 PSPICE 进行仿真时、发现了这种现象。

他们正在考虑 QOD 下降时间。 我们可以从公式2中估算出什么? Vcap 代表什么?
 我们认为下降时间是 CR 时间常数。 我们可以通过以下公式来估算它吗?

  QOD 下降时间= RPD * Cout

- CT 电容器连接到 FET 的栅极。 因此、他们认为 CT 与 TF 和开/关延迟时间相关。
 CT 电容器是否与 TF 和开/关延迟时间相关?

-在以下情况下是否存在 Ron 的变化数据?

  VIN=3.15至3.46V
  Iout=1.842A
  TA=-30至95C

 它们应尽可能准确地估算输出电压的变化。 它们不需要保证。 它们仅供参考。

此致、
tateo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tateo、

    根据您的所有需求、TPS22965-Q1似乎是更适合您的应用的器件。 它具有更高的载流能力、无需 QOD 电阻器即可承受242uF 的容性负载。

    要回答您的一些问题、请执行以下操作:

    - 在这种情况下、QOD 外部电阻器的建议范围是多少? 由于输出电容器超过200uF、因此它们需要外部电阻器。

    客户是否希望尽快关闭电源轨? 如果它们不存在时序问题、我建议在 VOUT 和 QOD 之间输入100欧姆或更大的电阻。

    -最大连续开关电流额定值与什么相关? 如果它仅与结温相关、那么低热阻电路板上的输出电流是否能够超过 Imax?

    最大持续开关电流基于结温和特定温度下的电迁移。 较低的热阻板可能有助于增加器件在给定环境温度下可以处理的电流量、但如果不知道电路板与 JEDEC 标准的区别、则很难用多少来表示。

    -哪一种方法更短,即 QOD 或 TOFF 的延迟时间? 如果 QOD 将激活、直到 FET 仍然导通、则放电电流从 VIN 流出。 这种现象是否有可能发生?

    QOD 在 FET 关断前不会被设计为激活、因此 VIN 不应在器件关断时看到此电流消耗。

    他们正在考虑 QOD 下降时间。 我们可以从公式2中估算出什么? Vcap 代表什么?
     我们认为下降时间是 CR 时间常数。 我们可以通过以下公式来估算它吗?

      QOD 下降时间= RPD * Cout


    VCAP 与 VOUT 相同、它是输出电容器上的电压。 公式2可用于估算输出电压达到特定值所需的时间。 简单地说、正如您提到的、它是一个 RC 常数。 我将使用公式2来估算下降时间、而不是上面的公式。

    - CT 电容器连接到 FET 的栅极。 因此、他们认为 CT 与 TF 和开/关延迟时间相关。

    CT 电容器对延迟时间和上升时间有影响、但对器件的下降时间或关断时间没有影响。

    -在以下情况下是否存在 Ron 的变化数据?

      VIN=3.15至3.46V
      Iout=1.842A
      TA=-30至95C

    虽然我们手头没有这些确切数据、但数据表中的最高105C 环境温度数值应该能够很好地了解器件的预期最大导通电阻。

    谢谢、

    Alek Kaknevicius

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    大家好、感谢您的快速回复。 请检查其他问题。

    -他们尝试通过等式(2)估算 QOD 下降时间。 但计算结果与表1不同。 请解释以下条件下的计算示例。 我们应该为"t"分配什么值?

      VOUT (VCAP)=3.3V
      CL=100uF
      Rqod=25 Ω

    他们正在考虑温度上升。 它们的估计值如下。

      Iout=1.842A
      Ron = 80m Ω
      TA 最大值=95C
      θj 板上的 T Ü V-A=50C/W *

      Δ Tj = Iout^2 * Ron *θj Ω-A
             = 1.842^2 * 0.08 * 50
             = 13.57C
      TJ =Δ Tj + Ta 最大值
        = 95 + 13.57
        = 108.57C

     因此、他们认为 IC 可能能够满足他们的要求。 他们的估计是否存在任何问题?

    此致、
    tateo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tateo、

    -他们尝试通过等式(2)估算 QOD 下降时间。 但计算结果与表1不同。 请解释以下条件下的计算示例。 我们应该为"t"分配什么值?

    "T"是电容器放电所需的时间、这是客户要解决的问题。 当 Rqod 为25欧姆、Cl 为100uF 时、从 VOUT 对电容器放电到10%大约需要5.75ms。 对于此公式、VCAP 设置为 VIN 的10%或0.3V。 根据表中的值、这些计算似乎是在大约10欧姆的负载下完成的。 但是、我将确认情况确实如此。

    话虽如此、在3.3V 时负载为1.8A 时、输出端的等效负载电阻约为1.833欧姆、这也会影响电容器放电。 对于此等效负载电阻、假设负载在电容器放电的整个过程中处于导通状态、电容器放电应仅需约420us 即可降至10%。

    他们正在考虑温度上升。 它们的估计值如下。

      Iout=1.842A
      Ron = 80m Ω
      TA 最大值=95C
      θj 板上的 T Ü V-A=50C/W *

      Δ Tj = Iout^2 * Ron *θj Ω-A
             = 1.842^2 * 0.08 * 50
             = 13.57C
      TJ =Δ Tj + Ta 最大值
        = 95 + 13.57
        = 108.57C

     因此、他们认为 IC 可能能够满足他们的要求。 他们的估计是否存在任何问题?


    纸张上的估计值看起来不错。 我唯一的顾虑是客户如何知道其电路板能够实现 50C/W 的 θj A 值 他们是否进行了任何测试来确认此编号? 在器件通过1.8A 电流时、他们是否使用红外摄像头测量电路板上的温度?

    谢谢、

    Alek Kaknevicius

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    感谢你的答复。 请告诉我方程式(2)的任何更新。 关于 θj A、 我将与客户讨论。

    此致、

    tateo