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[参考译文] TPS65131-Q1:在设计中使用了 WEBENCH。 我没有从 VPOS 或 VNEG 获取输出。

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS65131-Q1, CSD25402Q3A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/643200/tps65131-q1-used-webench-for-the-design-i-get-no-output-from-either-vpos-or-vneg

器件型号:TPS65131-Q1
主题中讨论的其他器件: CSD25402Q3A

我使用的是 TI TPS65131-Q1降压/升压反相电源。 我通过 TI WEBENCH 将电路配置为3.3V 输入和+/-5.0V 输出。 我将我的电路完全按照 Webench 电路布局。 我甚至使用了 WEBENCH 指定的确切器件。  我已检查所有器件是否正确输入。 无论是 VPOS 还是 Vneg、我都不会得到任何结果。 这是我第一次使用降压/升压电源之一。 它与标准开关完全不同。 我在理解能够调试电路的不同节点应该看到什么方面遇到了一些困难。  

我附上了一个 pdf、其中包含了我从 WEBENCH 获得的内容以及原理图。

e2e.ti.com/.../Webench-_2B00_5.0_2C00_-_2D00_5.0-Supply-using-TPS65131_2D00_Q1.pdf

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    您好、Mark7389、

    是否有可能为 Q1使用 N 沟道 MOSFET? 这应该是一个 P 沟道 MOSFET。 出于测试目的、您可以将该 FET 短路、然后检查升压转换器是否正常工作。

    由于该器件上存在噪声敏感节点以及高功率节点、我建议您查看 EVM 作为布局参考。 敏感节点为 CP 和 CN、FBX 和 VREF。

    INP 和 OUTN 节点是2个转换器的开关节点、因此在这里、您应该看到矩形开关活动。 此外、请检查3.3V 启动期间发生的情况。

    此致、
    Brigitte
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    Brigitte、

    我确实在使用 P 沟道 MOSFET。 TI PN 为 CSD25402Q3A。 我刚才注意到原理图上的符号是用于 N 通道。 我从 N 通道的库部分开始创建 P 通道、并且必须在更改 sch 符号之前将其放置。 我将在明天尝试缩短器件的时间、以测试其运行情况。

    此布局基于数据表和 EVM 中的建议布局。 我总是尽可能地密切关注。

    我将检查 INP 和 OUTN 是否有活动。 到目前为止、我没有在任何引脚上看到任何活动。 在所有引脚上、3.3V 或0V 稳定。 我还将介绍启动期间的3.3V 电压。 我将在早上检查这些第一件事。

    谢谢、

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    Brigitte、

    在 TPS65131-Q1附近、3.3V 输入电压在大约1.32-1.35MHz 的频率下具有100-300mV 的噪声。 该噪声越会随着您获取器件的距离而消失。 两英寸之外的3.3V 具有大约20mV 的噪声、且频率无法识别。 我通过电路检查了器件上所有引脚的电压。 这些内容如下所示。

    MOSFET (CSD25402Q3A)
    S - 3.3V
    D - 3.3V
    G - 0V、与3.3V 上的开关噪声相同

    TPS65131-Q1
    1、24 (INP)- 3.3V
    4 (VIN)- 3.3V
    5、6 (INN)- 3.3V
    7 (BSW)- 0V
    8 (ENP)- 3.3V
    10 (ENN)- 3.3V
    13、14 (OUTN)- 60mV、~1.35MHz 时峰值为300mV
    15 (VNEG)- 60mV
    16 (FBN)- 1.02V
    17 (VREF)- 1.26V
    18 (CN)- 660mV
    21 (CP)- 640mV
    22 (FBP)- 840mV
    23 (VPOS)- 3.3V

    VREF 应为1.213V (典型值)。 FBP 也应为1.213V、FBN 也应为0V。 所有这些都与它们应该存在的情况有很大的不同。 我尚未检查 WEBENCH 提供的电阻器值。 这将是我的下一步。

    此致、

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    Brigitte、

    我有另一个评论/问题、就是数据表在 INN 输入端使用4.7uF 电解电容器。 WEBENCH 设计改为使用(10) 0.47uF 电解电容器。 尝试将10个电容器靠近器件放置几乎是不可能的。 我最后将一个放置在尽可能靠近的位置、与 EVM 和其他9个放置在尽可能靠近的位置。 我能否将一个接近0.47uF 的电容器换成4.7uF 的电容器、以实现更好的抗噪性能。 我想这可能是该器件周围所有开关噪声的原因。 数据表还指出、可以使用电解电容器或陶瓷电容器。 如果使用电解电容器、则必须并联0.1uF 陶瓷电容器。 这是真的吗?

    此致、

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    Mark、您好!

    通常、此部件应使用陶瓷电容器。 我需要检查为什么您有10个电解电容器、470nF 而不是一个4.7uF 电容器。

    请使用一个4.7uF 电容器检查设计。 此外、如果您不想在此处发布布局、请将其发送到 display_power_evm@list.ti.com 并参考此主题。

    此致、
    Brigitte
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    Brigitte、

    我没有适合该位置的4.7 μ F 电容、因此我使用的是10 μ F 电容。 噪声尖峰的振幅略低、上表中的电压略有不同、但没有重大变化。

    我将通过您发送的电子邮件地址向您发送布局。

    此致、

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    Mark、您好!

    非常感谢您的布局。 是否也会发送 GND 层?

    电源中的 GND 不仅是基准电压、而且是电流很大的电源平面。 因此、有必要非常准确地了解电流并确保噪声不会耦合到模拟 GND 中。 我可以想象 GND 上的噪声水平是这个设计的问题。

    请详细了解 EVM 的 AGND 布局。

    如果我们可以一次检查一个转换器、那会非常好。 您是否认为可以断开2个 ENx 引脚与 VIN 信号的连接、并将导线连接到 ENN 和 ENP 以分别启用转换器?

    此致、
    Brigitte

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    Brigitte、

    我刚刚向您发送了一些其他文件。

    我将介绍 EVM 的 AGND 布局。

    遗憾的是、我无法轻松断开 ENP 和 ENN、无法单独尝试它们。 我将再次查看该板、看看 是否有任何方法可以将它们分开、以免永远损坏该板。 我只有3个原型需要使用、因此需要小心。 我会告诉您、我是否能弄清楚一些东西。

    此致、

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    Brigitte、

    我在 EVM 上看到原理图中如何指定 AGND 和 PGND、然后将其连接到 PCB 上。 遗憾的是、我遵循了 WEBENCH 提供的设计、其中有一个用于 AGND 和 PGND 的接地符号。 为了完成此设计、我没有足够关注 EVM 原理图和布局。 此时、我不确定是否可以将其修复在该版本的电路板上。 我可以轻松地在下一个修订版上修复它、但我希望在转动电路板之前使电路正常工作。

    此致、

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    Mark、您好!

    我们似乎都希望此问题在下一版式修订版中得到解决。 我现在关闭这个线程。 如果未解决、请在下面发布回复或创建新主题帖。

    此致、
    Brigitte
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    Brigitte、

    这也是我的希望。 我将使用 EVM 并与我的电路进行比较、以查看我是否可以在该板上工作。

    我还有一个问题。 我使用的是 WEBENCH 建议的 Q1 (汽车)器件。 与非 Q1器件相比、该器件的工作方式是否有所不同?

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    Mark、您好!

    零件的操作方式与商业零件相同。

    此致、
    Brigitte