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[参考译文] LM3478:LM3478设计采用 Webench

Guru**** 2394295 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3478

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/758002/lm3478-lm3478-design-used-webench

器件型号:LM3478

尊敬的 TI:

  当我使用 Webench 设计 LM3478原理图时、Webench 提示:"在设计条件下、IC 或所选 FET 结温都超出最大额定值。 因此、该设计是使用理想的 FET 创建的。 请注意、生成的 FET 参数是理想的、因此效率/损耗值已禁用。 此外、原理图/PCB 导出和热仿真不适用于理想 FET。"

  这意味着什么?LM3478是否意味着无法实际满足设计要求?如果可以满足、您能否提供合理的设计器件选择?

  谢谢!

  设计要求为:
  VIN=3.2V-4.2V

  Vout= 50V/0.2A

  

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    尊敬的 Eric:
    支持此器件的工程师在假期外出。 他们可以在本周或下周下班后回复您。
    根据我的意见、在该应用中 VOUT/VIN 比率很高。 我们应该使用反激拓扑、否则 Duy 周期可能太大、效率也不好。
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    尊敬的 Eric:

    这通常只是表示库中没有合适的 FET。 根据设计参数、应该可以找到符合此要求的 MOSFET。

    您是否尝试实现反激式稳压器或升压稳压器? 这将有助于 MOSFET 的选择。

    谢谢、

    Garrett
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    您好、Garrett:
    谢谢!