[参考译文] UCC28780EVM-002：UCC28780 RDM RTZ

大家好、Eleven、

感谢您关注适用于 UCC28780 ACF 控制器的基于 GaN 的 EVM。

RDM 和 RTZ 电阻器的值根据每个特定设计的多个电路参数(请参阅数据表方程8、9和10)进行计算。 UCC28780EVM-002上使用的值基于该设计的其他参数适用于该设计。

您提到这些值与 Mathcad 计算的值有很大差异、但您不能指定 Mathcad 涉及的设计。 很可能是基于基线参数显著不同的设计(例如磁化电感和/或匝数比等)。

如果您是指从 TI 网站(myportal.ti.com/.../dt )下载的 Mathcad 程序，则该程序包含在程序生成时基于任意设计的示例参数和值计算。 这不是 GaN EVM 的设计、许多基本参数与 EVM 的基本参数有很大不同。 因此、RDM 和 RTZ 的结果也会有显著差异。

用户将根据需要更改各种参数、以匹配预期的新设计目标。
我希望这能澄清问题。

此致、
Ulrich

大家好、Eleven、

对于您的问题1：
是的、准确估算 CSW 并不容易。 不过、确实需要进行一些估算、因为 CSW 和 Lm 决定了开关节点电压(VSW)从高电平到低电平的部分谐振转换时间。 该间隔可以是总开关周期的重要部分、Lm 的值是根据所需的最小开关频率确定的。 CSW 的估算值将基于(GaN 或 Si) MOSFET 输出电容数据表曲线、加上估算的变压器绕组电容和来自不同其他绕组的反射整流器电容。

这些估算值不会非常精确、但除非选择非常高的最小频率、否则总体误差通常很小。 通常、谐振间隔约为周期的10%、由于谐振通过 LC 的 SQRT、因此 CSW 出现40%的误差会导致10%的误差约为20%、因此在总周期中可能会出现2%的误差。 当然、如果谐振间隔是周期的较大部分、误差会更严重。

RDM 不依赖于 CSW、但取决于 Lm、Na、NP、RCS、Rvs1和 Rvs2 (请参阅数据表公式10)。 如果在原型调试期间调整了这些参数中的任何一个、还应重新调整 RDM。
RTZ 取决于 CSW、Lm、NS、NP、Vout 和 Vbulk_max (请参阅公式8和9)。

Q2：正确、RDM 在 ABM 中设置突发中的第一个 TDM 时间。 该周期结束后、内部调谐器会调整时序以优化零电压开关(ZVS)。 针对所有组件参数的标称情况设置 RDM 和 RTZ。 调谐器具有正负范围、以适应 Lm 和电阻器的参数变化。

Q3：是的、时序是自适应的、但依赖于 RDM 和 RTZ 来设置标称条件、以便能够充分适应任一方向的变化。
如果 RDM 太高、强制高侧导通时间将过长。 调谐器将无法完全补偿、并将产生过多的负电流。 这样会增加正电流以补偿额外的功率损耗、并进一步增加功率损耗。
如果 RDM 过低、则高侧 FET 可能会在变压器完全退磁之前关闭、从而中断有源钳位谐振电流、并在高侧 FET 和 SR FET 中导致高开关损耗。 它会在调谐器反复尝试恢复最佳切换点时中断调谐器运行。
如果 RTZ 过高或过低、它会将低侧 FET 的导通点移动到漏极波形谐振谷的任一侧、从而导致硬开关而不是 ZVS。

希望这能解答您的问题。

此致、
Ulrich