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[参考译文] TPS2420:CT 放电流似乎不正确。

Guru**** 2434370 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/756390/tps2420-ct-discharge-current-seems-incorrect

器件型号:TPS2420

CT desc 显示故障后5uA 会使 CT 放电、但方框图显示1.25uA、TSD 公式计算为1.2uA 的 BOUT。 这是什么? 是否可以通过将电阻器与 CT 并联来增加重试时间? 我可以加快速度有多大限制?  

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    您好、Cameron、

    正如您提到的、数据表有点混乱、需要修改。 下面是您可以考虑的因素。  

    • 当 IOUT μA IFAULT 或 SOA 保护模式处于激活状态时、故障计时器启动、以35 μ F 电流从 GND 向1.4V 的上限阈值对 CT 电容器充电
    • 如果电容器达到阈值上限、内部导通 MOSFET 将关闭。
    • 如果器件处于锁存模式、MOSFET 将保持关闭状态、直到 EN 被循环。
    • μA 器件处于重试模式,电容器将在1.4 μ F 至0.2V 的电压下放电,然后重新启用导通 MOSFET。
      • 1.4uA 是典型值、其值可能在1uA 到1.8uA 之间变化。 在 TSD 公式中、您可以考虑1.4uA。
    • μA 未 μA 阈值上限(1.4V)、电容器将在33 μ F 至0.2V 的电压下放电、然后在1.4 μ F 的电压下放电至0V。
    • 当器件被 kΩ 时、CT 通过一个100k Ω 电阻器被拉至 GND。

    重试模式下放电电流较小的原因是要为 IC 提供冷却时间。 当器件在过流和 SOA 区域(启动期间)等条件下运行时、由于内部 FET 中的功率耗散、器件内部温度会升高。 我们必须为 FET 提供足够的冷却时间、然后再将其再次置于类似的条件下、否则器件可能会因热限制而关断。  

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    谢谢 Praveen。 第5页上的1.25uA 值和第7页上的5uA 值似乎是错误的、应更正为1.4uA。 你同意吗?  

    在我们的使用中、我们通常以低 SS 电流和较低温度运行。 因此、我们可以缩短冷却时间、即使由于热限制可能关闭以进一步冷却也是如此。 添加一个由!FLT 与 CT 并联的电阻器是否会产生任何其他问题?  

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    您好、Cameron、

    是的、对于 CT 灌电流、您可以考虑典型值为1.4V、并且值可以在1V 至1.8V 之间变化。 第7页提到的5uA 需要修复。
    只要在 FLT/上没有上拉电阻器、我就不会在 CT 和 FLT/之间连接电阻器。 我们尚未测试此电路、因此我们建议您在所有条件下对电路进行全面测试、然后再继续。
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    谢谢 Praveen。

    我打算使用 FLT/打开晶体管、然后在 CT 上连接一个电阻器、以帮助其更快地漏电。 除了缩短冷却时间之外、您还预测有其他问题需要解决吗?  

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    您好、Cameron、

    除热关断问题外、我没有看到任何明显的问题。 如前所述、在实施最终设计之前、请彻底测试电路。