[参考译文] UCC27714：设计问题

您好、Mamadou、

感谢你的答复。 我对您所连接的链接进行了改进、但这只是最后一项工作。 对于所选电容器的相关问题、我们按照数据表中的计算方法进行操作、但自举似乎是电容负载的一大优势、我们需要大约200ms 的时间来为负载电容器充电。 如果我们在高侧 MOS 导通期间保留10k 电阻器、则电荷会下降、因此我们使用100k 电阻器仿真了行为、而启动电容器上的损耗电荷仅为10%。 您可能认为这不是高频应用、因此负载电容器很少在车辆启动之前充电。 在附加的注释中、它讨论了 dv/dt 导通和 dv/dt 关断。 第一个是指最大 Vgs 变化吗？ 我们可以说是我们可以期望的最快的驱动器吗？ 当它谈论关断以及如何计算本例的 dv/dt 时、您能更明确吗？ 感谢您的 precios 支持。

此致  

Dario Laezza

您好！

感谢您的回复、但我们在图腾柱中驱动两个 IGBT、而高侧 IGBT 提供从直流总线到负载电容器的电流路径。 我们根据发布的参考文献解决了设计问题。 使用一个80k 电阻器、我们可以实现电容器充电、完全没有问题。 此外、我们还有一个非常宽松的 dv/dt、因此我们通过降低高侧 IGBT 的导通速度来避免输出上的高 dv/dt。 当然、上面提到的 IC 不主要用于电容负载、而是用于工作。 感谢您提供所有有用的回复。

此致  

Dario Laezza

您好！

这就是 为什么 HO 不是直接驱动300uF 电容器、因为第一个帖子似乎暗示了这一点。 我们 还 看到通过 NFET 驱动电感负载的不同问题 、以及   由于 LO 变为低电平、HO 在 Cboot 充电周期内下降>10V。   在1500nf Cboot 和10uf VDD 偏置电容通过5.1ohm 电阻器达到+15V 时、HO 会突然下降。 幸运的是 、HO 接近100V 的接地参考电压、 警报电压越低。  

想知道你们是否正在观察 HO 信号、触发源 LO 并注意到 HO 或 VDD 偏置也有类似的下降吗？  

您好！

因此、如果我已经理解、您会注意到当 Cboot 充电周期完成时 HO 会下降、而 LO 会缓慢地关闭低侧开关。 这是很奇怪的，因为 LO 和 HO 应该是独立的。 我很确定我们没有解决这样的问题、但如果您可以共享原理图、或许我们可以更详细地分析它、这会很有趣。

此致

Dario Laezza

您好！

在    HO 上升/下降期间、似乎之后 HO 下降到 LO (>-10)、 只是在死区时序  从立即 更新更改为同步更新之后。  我同意 HO 或 LO 在仅通过内部爬电时如何相互影响。  在 各种调制下、HI/LI 延迟匹配(MT)可能会对 LO/HO 输出产生某种影响。  在 这两种情况下、Cboot 电容器似乎都在充电、当 LO 变为低电平时、它会在下一个 PWM 周期对 Cboot 进行动态充电。

[引用 user="Dario Laezza"]我非常确信，我们没有解决这样的问题，[/引用]

您必须将示波器探头放置在 触发 HO/LO 的同一1/2电桥上。 在 产生的波形中、使用同步死区接近接地的情况下会出现问题。