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[参考译文] CSD87350Q5D:开关频率

Guru**** 2382480 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755417/csd87350q5d-switching-frequency

器件型号:CSD87350Q5D

您好!

我发现数据表中建议的开关频率应大于200kHz。  

但客户想知道他们是否可以选择20kHz 的开关频率、会发生什么情况? 为什么?

非常感谢!

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    尊敬的 Rock:
    感谢您的提问。 你是对的。 数据表中建议的最小开关频率为200kHz。 但是、可以在较低的开关频率下工作、例如20kHz。 这是用于电机驱动应用还是降压转换器? 请记住、电机驱动应用通常以50%的占空比运行。 该电源块已针对低占空比同步降压转换器应用进行了优化、这意味着 FET 的尺寸不同(小高侧和大低侧)。 另一个需要考虑的因素是自举电路。 通常情况下、自举电容为0.1uF、具有可选的低值串联电阻(<10欧姆)。 您可能需要增加自举电容器的值以实现较低频率运行、并在启动时注意确保它有足够的充电时间。
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    尊敬的 John:

    非常感谢您的回复。

    " FET 的尺寸不同(小高侧和大低侧)"是什么意思?

    请注意、

    摇滚

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    尊敬的 Rock:
    在低占空比(10%- 20%)降压转换器中、高侧 MOSFET 在开关周期的极短(10%- 20%)时间内处于导通状态、而低侧 MOSFET 在开关周期的剩余(80%- 90%)内处于导通状态。 因此、开关损耗在高侧 FET 中占主导地位、传导损耗在低侧 FET 中占主导地位。 因此、高侧 FET 的裸片尺寸相对较小、可更大限度地减少充电和开关损耗、因为 RDS (on)并不重要。 同样、低侧 FET 的裸片尺寸更大、可更大限度地减少 RDS (on)和传导损耗。 对于占空比约为50%的应用、FET 将与相同的 RDS (on)和栅极电荷对称。 如果您有任何其他问题、请告诉我。