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[参考译文] BQ25713：BATDRV 电压范围和 P-MOSFET 最大 VGS

admin
Guru**** 2381170 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755015/bq25713-batdrv-voltage-range-and-p-mosfet-maximum-vgs

器件型号：BQ25713
主题中讨论的其他器件：CSD25402Q3A

您好！

我将通过 EVM 进行设计。 因此、我使用 CSD25402Q3A 作为 BATFET。 但在设计中、VSYS 为12V 标称值(10V-15V 范围)、该 FET 的 VGS 范围为+/-12V。 BATFET 引脚的说明提到在理想二极管模式下其电压低于 VSYS 10V、但数据表中没有此信息、因此我想确认使用该 FET 是否安全。

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    TI__Guru**** 2381170 points
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    您好、Elder、

    您可以参考数据表电气特性表中的 VBATDRV_ON 参数以供参考。 这将提供施加到 BATFET 上的 VGS 的最小值和最大值。

    根据数据表、借助于 SYS 上的电源、BATFET 可被驱动至低于它的最大值11.5V、这应该处于所选 MOSFET 的技术规格范围内。


    此致、
    Joel H
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    TI__Guru**** 2381170 points
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    您好、Joel。

    该 VBATDRV_ON 参数有点令人困惑、因为它未在表中定义。 不过、我刚刚查看了数据表、其中包含相关信息、但在数据表中有所介绍(引脚功能表、电气规格和9.2节的方框图)。 我是否可以建议在电气规格中添加更清晰的定义？

    不管怎样、您解决了我的问题。 一如既往、提供及时、卓越的支持。

    非常感谢。

    BR

    较旧。