尊敬的所有人：
请告诉我反向电流。
反向电流在数据表中写入如下。
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根据设计、NMOS 导通元件不包含体二极管。
这意味着、只要导通元件的栅极不被驱动、在反向电压事件期间就不会有反向电流流经导通元件。
当 VBIAS 低于 UVLO 阈值或 EN 引脚保持低电平时、不会驱动导通元件的栅极。
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当 EN 为高电平且 UVLO 超过阈值时、是否存在反向电流？
MOSFET 是背对背耦合吗？
此致、
PAN-M
您好、Pan-M、
是的、反向电流将在以下条件下流动：
这是因为 EN 和 BIAS 使能内部控制环路并为其供电、从而使其能够响应输出电压的变化。 如果输入电压降至低于输出电压、并且输出未保持不变、则输出电压也会随着输出电容器放电而下降。 控制环路尝试通过将导通 FET 的栅极驱动至偏置电压来继续进行调节。 但是、由于输入电压低于输出电压、因此驱动栅极会强制导通 FET 反向(OUT 至 IN)导通、直到输出电容完全放电。 此行为在数据表中反向电压特性说明的最后一段中进行了说明：
功率 n 沟道 MOSFET 不会背对背耦合、因为使用 n 沟道导通 FET 的主要优势之一是能够实现极低压降电压。 为背对背耦合添加另一个串联 FET 会增加压降电压。 尽管该器件的导通 FET 具有相同的栅极驱动、但它们不是串联的；MOSFET 的源极连接在一起。 这可以在功能方框图中看到：
谢谢、
Gerard
