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[参考译文] TPS53353:引导电容器的0Ω μ F 条件

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS53353
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/754173/tps53353-0-condition-for-boot-capacitor

器件型号:TPS53353

TPS53353数据表中描述的引导电容器(R9)建议值为2Ω μ F。

①If μ V 噪声和振铃条件良好、引导电容器是否设置为0Ω μ F、没问题?  

※下面连接了一个客户波形、大引导电容器将下降 VBST (相对于 LL)。

当更改为小于2.4Ω Ω 时、VBST 电压不会下降。

客户希望确认0Ω 条件为 OK 或 NG。 (当 NG 时、最小值是多少?)

・22Ω μ A

・5.6Ω μ A

・2.4Ω μ A

・0Ω μ A

②Additional 问题、数据表 P27说明"使用分离的过孔或迹线将 LL 节点连接到缓冲器、自举电容器和纹波注入电阻器。 请勿将这些连接组合在一起。"

当结合缓冲器和纹波注入电阻器时、是否有可能超过 VBST 压降?

请告诉我这些组合电路的影响。   

此致、

Satoshi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好,Satosi-San,
    如果噪声和振铃条件良好、引导电阻器是否设置为0Ω Ω、没问题? 是的。
    HS FET 初始导通期间的 VBST 下降是正常的。 但是、HS FET 的导通阈值电压约为1.5V 至2V、因此在安全侧、我会将压降保持在2.5V 以上。 请记住、较高的 Rboot 也会影响效率。 您还可以使用缓冲器电路来最大限度地减少开关节点振铃、从而保持在您的规格范围内。
    至于第27页上的电路组合、我认为如果您将 LL 节点与一个过孔组合在一起、则不会优化每个电路角色的有效性。
    谢谢你。
    Amnat