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[参考译文] CSD18540Q5B:如何确定 MOSFET 是否能够在25°C 以外的环境温度下以饱和模式处理单个电流脉冲? 要求:ID = 4.5A、VDS = 16.5V、T = 20ms、外壳温度= 71°C 或105°C

Guru**** 2386610 points
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/753477/csd18540q5b-how-do-i-determine-if-mosfet-can-handle-a-single-current-pulse-in-saturation-mode-at-ambient-temperatures-other-then-25-c-requirement-id-4-5a-vds-16-5v-t-20ms-case-temp-71-c-or-105-c

器件型号:CSD18540Q5B

我正在尝试确定 MOSFET 是否能够在给定的持续时间、给定的 VDS 和给定的环境温度下处理单个电流脉冲。 例如 CSD18540Q5B。

我不确定我是否只能查看 SOA 曲线,因为我不确定该曲线是否仅适用于25°C 下的设备 如何确定器件在71°C 时是否能够处理脉冲(单个)?

脉冲处理要求:

  • 单脉冲(非重复)
  • 外壳温度= 71°C 或105°C
  • 持续时间= 20ms
  • 电流= 4.5安培
  • VDS = 16.5V

谢谢、

Nick

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    您好、Nick、
    感谢您的查询。 我们需要使用数据表中的瞬态热阻抗曲线和 SOA 曲线。 从瞬态热阻抗曲线开始、如果我从20ms 脉冲持续时间开始直线上升、我保守地估计、标准化因子约为0.7。 我可以使用此公式来计算 Δ Tj = 0.7 x 0.8°C/W x 16.5V x 4.5A = 42°C。 估算 Tj = 113°C @ TC = 71°C、147°C @ TC = 105°C。 如果我们假设没有热失控或局部热点、则应该可以。 但是、对于 TC = 105摄氏度、没有太大的裕度。

    使用 SOA 曲线、我估计最大 ID @ Vds = 16.5V 为7.5A。 但是、由于我们处于饱和区、因此我们应该降低 SOA 曲线的值。 由于我们没有20ms 的线、因此我使用了10ms 的线、并将因子(150deg (TJmax)–71deg (Tj))/(150–25deg (meased)))= 79 / 125 = 0.632而降额。 乘以7.5A,您得到的是4.7A,因此在这个温度下它非常接近。 绝对不建议在105deg 下进行此脉冲、其中降额因子将为0.36、SOA 曲线将降额至2.7A。
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    谢谢 John、

    因此、我似乎可以假设器件具有足够的热电容、这样外壳温度在脉冲期间不会变化、因为我们使用的是恒定的71°C 外壳? 这是否会一直持续到0.1秒脉冲?

    以下内容是否正确?

    我认为该器件的最大结温为175°C

    °°°情况:(175°C-71°C)/(175°C-25°C)=.693和105 μ F 情况:(175°C - 105°C)/(175°C-25 C)=.466

    因此、根据 SOA、71°C 情况下的最大电流= 0.693 x 7.5A = 5.19A

    根据 SOA、105°C 情况下的最大电流=.466 x 7.5A = 3.5A

    获得7.5A 电流的数学原理是什么?

    谢谢、

    Nick

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    您好、Nick、
    假设外壳温度是固定的、并且由于短路脉冲而不会明显上升。 它还假定一个单脉冲事件。 如果这是重复性的、那么我们需要知道占空比以了解它对计算的影响。

    正确的做法是、此器件的额定温度为175°C 我错误地假设150°C 您的计算结果也是正确的。 为了获得7.5A 电流、我使用了 SOA 曲线、绘制了 Vds = 16.5V (大约)时的垂直线和一条水平线、在10ms 和100ms SOA 线之间交叉。 这是一个估计值!