• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 9 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 98 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD23203W：热热点

admin
Guru**** 663810 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD23203W
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/590313/csd23203w-thermal-hot-spot

器件型号：CSD23203W

您好！

我的客户正在考虑实施 CSD23203W。

它们请求该器件的热热点、因为其模块非常小。

请提供此信息吗？

 此致、

Kuramochi

  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kuramochi-San、
    我不知道这种型号。 我已将您的消息转发给我们的封装团队、以查看他们是否听说过此消息。
  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    该器件的最高温度为150摄氏度。 您将消耗多少功率。
  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Barr-San、

    客户条件下的最大功耗为600mW。

    此致、
    Kuramochi
  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kuramochi-San、

    是连续的吗？ 即使在最小铜质电路板上、RthJA 也仅为170摄氏度/瓦  

    在此导通期间、FET 是否完全增强/导通？ 如果是、应该可以。  

  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Barr-San、

    客户需要 IC 表面最热的热点。
    它们使用该值计算从热点到每个引脚的热电阻。

    如果您有 CSD23203的热像图、您能否按如下方式进行共享？



    请告诉我是否无法提供这一点。

    此致、
    Kuramochi

  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kuramochi-San、

    我将告诉您我们的封装专家说的话。  

  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kuramochi-San、  

    这是我从我们的封装团队那里得到的回答： 由于 CSD23203W 上的散装材料为 Si、因此封装内的∆T 非常小。 如果该引脚靠近 FET、则误差也将为高电平。  

  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Barr-San、

    感谢您的合作。

    >如果引脚靠近 FET、则误差也会很高。
    哪个引脚远离 FET？

    此致、
    Kuramochi
  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kuramochi-San、

    在这种情况下、由于封装非常小、所有引脚都非常接近硅片的有效区域。 因此、为了测量从芯片到任何引脚或外壳的热阻抗、您将看到非常小的温度变化、因此 RthJC 中的误差非常高。 因此、您应该只将 RthJA 用于温度升高(这将特定于您的电路板、但我们确实给出了"最坏情况"、您可以假设整个 FET 在温度方面非常一致。