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器件型号：CSD25484F4 主题中讨论的其他器件：CSD17484F4、 CSD15380F3、 CSD13380F3、 CSD25480F3、 CSD25310Q2、 CSD13202Q2
为了实现工业 NDT 的低成本、大容量超声波应用、我正在研究是否可以切换一对 P/N-ch. MOSFET (高侧 PMOS 和低侧 NMOS)的速度足够快、并直接连接 FPGA、以避免使用分立式驱动器 IC。
脉冲发生器将是 MAX 10 FPGA。 栅极驱动电压为25V 或3、30V、并且使用大量并联 FPGA 输出引脚时、电流最多为几百毫安。
由于脉冲发生器电压(PMOS 源)也是电源电压、因此 MOSFET 需要低 RDS (ON)。 没有硬性限制、但越低越好、因为这样可以实现更高的脉冲电流、从而获得更好的超声波信号。 但是、快速上升时间仍然比导通电阻更重要。
我想高侧 P-ch。 MOSFET 将像10uF MLCC 这样的东西切换到1nF 的传感器。 低侧 N 沟道。 将切换回接地。
随附的原理图显示了传统、昂贵的方法、否则我们将采用这种方法。 我希望不再使用驱动器和额外的电源。
您能否建议使用一对分立式或双封装的 MOSFET 以实现最快速的开关？
由于 栅极电荷和导通电阻较低、我倾向于使用 CSD25484F4和 CSD17484F4、但我不是 MOSFET 方面的专家、因此我可以俯瞰一些东西。
