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[参考译文] BQ29700EVM-610:如何为 BQ29700选择 MOSFET?

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16301Q2, BQ29700EVM-610, CSD16406Q3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/586839/bq29700evm-610-how-to-choose-the-mosfet-for-the-bq29700

器件型号:BQ29700EVM-610
主题中讨论的其他器件:CSD16301Q2CSD16406Q3CSD

降级器、

BQ29700EVM-610可以支持大约5A 的充电电流,EVM 选择 CSD16301Q2,MOSFET 的 Rdson 为23mΩ Ω,如果我根据设计理论认为最大电流(VOCD/2*Rdson = 100mV/(2*2 23mΩ)≈2A),我不知道为什么可以支持5A。 同时、如果我想使用 BQ29700达到10A 放电电流、哪个 MOSFET 是更好的选择(小尺寸)?

此致

顶升

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    降级器、
    谁能帮助我解决困惑? 非常感谢!
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    OCD 电流为10A、OCD 阈值为100mV、可满足您的设计要求
    2*Rdson = 100mV/10A Rdson = 5毫欧。 您还需要知道最大充电电流。 假设为2A。 因此过流阈值为10m Ω* 2A = 20mV。 现在、要@合适的 FET、请考虑最坏情况下允许~μ s 在250uS 的 SCC 时间内短路...最大电池组电压。 I SCD = VPACK/( Rcell+ 2*RDSON_+随机线路电阻).... 在 TI CSD 系列逻辑器件或 pwer FET 中查找相应的 VDSS @计算的 SCD。 然后参考 FET 的 Vgs 与 RDS_on、并选择所需的工作 Vgs。 FET VDSS 的情况下运行。 还应密切注意 θ ja 系数的 FET 封装类型。 首先、使用 CSD16406Q3开始设计工作

    希望这对您有所帮助...
    Vish
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    尊敬的 Vish Nadarajah:
    非常感谢您的回复。
    我可以理解您的方法、但我仍有一些问题需要您验证。 正如您所说、BQ29700 EVM 为什么能够支持最大5A 电流? 根据公式、最大电流仅维持约2A。 谢谢!
    此致
    顶起 Jin